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    對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析
    陳宜澤(Chen, I-tse) ; 謝宗原(Xie, Zong-yuan) ; et al.
    In: 華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 20 (2006-06-01), S. 61-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Challenges and Performance Limitations of High-k and Oxynitride Dielectrics Materials for Low Power CMOS Applications
    譚湘瑜(Tan, S. Y.) ; 劉宗慶(Liu, T. C.)
    In: 華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 19 (2005-06-01), S. 135-140
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    閘極氧化層以鉿化合物取代二氧化矽之CMOS元件特性探討
    陳蕙質(Chen, H. Z.) ; 陳思羽(Chen, S. Y.) ; et al.
    In: 華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 22 (2008-06-01), S. 241-244
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討
    陳人豪(Chen, R. H.) ; 陳昱全(Chen, Y. Q.) ; et al.
    In: 華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 22 (2008-06-01), S. 227-230
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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