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In: 中国物理B:英文版 / Chinese Physics B, Jg. 31 (2022), Heft 5, S. 725academicJournalZugriff:
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Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!academicJournalZugriff:
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In: Chinese Physics B, Jg. 20 (2011), S. 018502-18502Online unknownZugriff:
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Improved interfacial properties of HfGdON gate dielectric Ge MOS capacitor by optimizing Gd content*In: Chinese Physics B, Jg. 28 (2019-11-01), S. 127703-127703Online unknownZugriff: