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    A multiscale model for CVD growth of silicon carbide
    Guan, Kang ; Zeng, Qingfeng ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 196 (2021-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A three-dimensional atomic scale simulations of CVD-SiC film growth in {1 1 1}, {1 1 0} and {1 0 0} family of planes
    Liu, Cuixia ; Yang, Yanqing ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 50 (2011), Heft 8, S. 2338-2346
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Grain growth simulation of {1 1 1} and {1 1 0} oriented CVD–SiC film by Potts Monte Carlo
    Liu, Cui-Xia ; Yang, Yan-Qing ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 44 (2009-02-01), Heft 4, S. 1281-1285
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Grain growth simulation of {111} and {110} oriented CVD-SiC film by Potts Monte Carlo
    Liu, Cui-Xia ; Yang, Yan-Qing ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 44 (2009-02-01), Heft 4, S. 1281-1285
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation study on the influence of distribution of temperature, gas flow rate and gas component on SiC nanowires grew in self-designed CVD reaction chamber.
    Li, Zhenjiang ; Liu, Xiaolong ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 96 (2015), S. 63-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A three-dimensional atomic scale simulations of CVD-SiC film growth in {111}, {110} and {100} family of planes
    Liu, Cuixia ; Yang, Yanqing ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 50 (2011-06-01), Heft 8, S. 2338-2346
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Understanding spectroscopic phonon-assisted defect features in CVD grown 3C-SiC/Si(1 0 0) by modeling and simulation
    Talwar, Devki N. ; Feng, Z.C.
    In: Computational Materials Science, Jg. 30 (2004-08-01), Heft 3/4, S. 419-424
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Numerical study of SiC CVD in a vertical cold-wall reactor
    Vorob'ev, A.N. ; Karpov, S. ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 24 (2002-07-01), Heft 4, S. 520-534
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomistic insights into chemical vapor deposition process of preparing silicon carbide materials using ReaxFF-MD simulation.
    Yan, Zefan ; Tian, Yu ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 241 (2024-05-25), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Simulation of surface relief effect on ALD process
    Neizvestny, I.G. ; Shwartz, N.L. ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 36 (2006-05-01), Heft 1/2, S. 36-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role of multigrain structure on friction of graphene layers.
    Li, Huyan ; Kim, Woo Kyun
    In: Computational Materials Science, Jg. 165 (2019-07-01), S. 23-33
    academicJournal
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    Molecular dynamics study on friction of polycrystalline graphene.
    Kavalur, Aditya ; Kim, Woo Kyun
    In: Computational Materials Science, Jg. 137 (2017-09-01), S. 346-361
    academicJournal
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    Finite element simulation of the effects of process parameters on deposition uniformity of chemical-vapor-deposited silicon carbide
    Sun, Guodong ; Li, Hejun ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 46 (2009-10-01), Heft 4, S. 1002-1006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Boltzmann machine modeling of layered MoS2 synthesis on a quantum annealer.
    Liu, Jeremy ; Mohan, Ankith ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 173 (2020-02-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Molecular dynamics of single wall carbon nanotube growth on nickel surface
    Esfarjani, Keivan ; Gorjizadeh, Narjes ; et al.
    In: Computational Materials Science, Jg. 36 (2006-05-01), Heft 1/2, S. 117-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Substitutional n-type doping of diamond
    Larsson, K.
    In: Computational Materials Science, Jg. 27 (2003-03-01), Heft 1/2, S. 23-29
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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