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    Selective CVD-W for capping damascene Cu lines
    COLGAN, E. G
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 120-123
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hydrogen-atom assisted CVD of copper at low temperatures and in-situ gas-phase spectroscopy studies
    LEE, W. W ; LOCKE, P. S
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 39-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD of copper using copper(I) and copper(II) β-diketonates
    NAIK, M. B ; GILL, W. N ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 60-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective chemical vapor deposition of copper using (hfac) copper(I) vinyltrimethylsilane in the absence and presence of water
    JAIN, A ; GELATOS, A. V ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 52-59
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In situ mass spectral and IR studies of the role of auxiliary reagents in the enhancement of copper growth in the chemical vapor deposition of Cu(II) β-diketonate precursors
    KALOYEROS, A. E ; BO, ZHENG ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 20-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical additives for improved copper chemical vapour deposition processing
    NORMAN, J. A. T ; ROBERTS, D. A ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 46-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective chemical vapor deposition on excimer-laser-patterned polytetrafluoroethylene from hexafluoroacetylacetonate copper (I) vinyltrimethysilane
    PERRY, W. L ; JAIN, A ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 7-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reactor transport effects in copper APCVD
    JUE, WANG ; LITTLE, R. B ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 31-38
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Photolithographic metallization of fluorinated polymers
    RYE, R. R ; HOWARD, A. J ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 73-83
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metal-organic chemical vapor deposition of copper using hydrated copper formate as a new precursor
    MOUCHE, M.-J ; MERMET, J.-L ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 1-6
    academicJournal
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    In-situ measurement of gas-phase reactions during the metal-organic chemical vapor deposition of copper using Fourier-transform infrared spectroscopy
    HANAOKA, K.-I ; TACHIBANA, K ; et al.
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 209-217
    academicJournal
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    Cu-metal interfacial interactions during metal organic chemical vapour deposition
    NUESCA, G. M ; KELBER, J. A
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 224-233
    academicJournal
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    Carrier-gas effects on characteristics of copper chemical vapor deposition using hexafluoro-acetylacetonate-copper (1) trimethylvinysilane
    AWAYA, N ; ARITA, Y
    In: Copper-based metallizationand interconnects for ultra-large-scale integration applications, Jg. 262 (1995), Heft 1-2, S. 12-19
    academicJournal
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