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    Liquid phase epitaxial growth and characterization of thin In1−xGaxAsyP1–y layers lattice-matched to InP
    Becher, S. ; Staehli, J. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 29 (1994), S. 945-955
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Gettering Properties of Praseodymium in GaAs, In0.53Ga0.47As, and InP Grown by Liquid Phase Epitaxy
    Jiang, Gwo‐Cherng
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 31 (1996), S. 365-371
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Doping of GaAs with Donor Impurities Te and Sn during Liquid Phase Epitaxy from Mixed Gallium  Bismuth Melts
    Pogadaev, V. G. ; Yakusheva, N. A.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 27 (1992), S. 21-30
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The effect of B2O3 on the solubility of (YSmLuCa)3(FeGe)5O12 garnet in PbO-B2O3 flux
    Bok, J. ; Višňovský, Š. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 19 (1984), S. 1457-1463
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -