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    CVD-growth and optoelectronic characterization of 2D MoS2/ReS2 vertical heterostructures with reverse stacking sequence
    Chen, Fei ; He, Yuxin ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023), Heft 37, S. 5334-5342
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Manipulation of the 1T-MoS2 domain in a 2H-MoS2 main phase induced by V-doping via a CVD vapor–liquid–solid mechanismElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: https://doi.org/10.1039/d2ce01305c
    He, Shaodan ; Cheng, Zhaofang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 24 (2022), Heft 48, S. 8517-8524
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    CVD-growth and optoelectronic characterization of 2D MoS<subscript>2</subscript>/ReS<subscript>2</subscript> vertical heterostructures with reverse stacking sequence.
    Chen, Fei ; He, Yuxin ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-10-07), Heft 37, S. 5334-5342
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Recent progress in the CVD growth of 2D vertical heterostructures based on transition-metal dichalcogenides
    Jiang, Xia ; Chen, Fei ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 23 (2021), Heft 47, S. 8239-8254
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Space-confined CVD growth of 2D-MoS2 crystals with tunable dimensionality via adjusting growth conditions
    Chen, Fei ; Jiang, Xia ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 23 (2021), Heft 6, S. 1345-1351
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Optical performance and growth mechanism of a 2D WS2–MoWS2 hybrid heterostructure fabricated by a one-step CVD strategy
    Chen, Fei ; Yao, Yi ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 22 (2020), Heft 4, S. 660-665
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    High-κ dielectric ε-Ga2O3 stabilized in a transparent heteroepitaxial structure grown by mist CVD at atmospheric pressureElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c9ce01532a
    Yusa, Subaru ; Oka, Daichi ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 22 (2020), Heft 2, S. 381-385
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Manipulation of the 1T-MoS<subscript>2</subscript> domain in a 2H-MoS<subscript>2</subscript> main phase induced by V-doping via a CVD vapor–liquid–solid mechanism.
    He, Shaodan ; Cheng, Zhaofang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 24 (2022-12-28), Heft 48, S. 8517-8524
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Non-equilibrium fractal growth of MoS2 for electrocatalytic hydrogen evolutionElectronic supplementary information (ESI) available: CVD heating schedule, SEM and TEM images of MoS2 grown at the central region of the substrate, XPS spectra of O 1s and S 2p, quantification results of XPS measurements, binary contrast images of the transferred MoS2 flakes, dimensional information of the MoS2 flakes, and HER polarization curves obtained for several batches during 50 and 1000 cycles. See DOI: 10.1039/c8ce01952e
    Park, Taejin ; Bae, Changdeuck ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), Heft 3, S. 478-486
    serialPeriodical
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Switching of the products by changing the size and shape of catalytic nanoparticles during CVD growth of MoS2 nanotubes
    Mengting, W. ; Yanase, T. ; et al.
    In: CRYSTENGCOMM, Jg. 19 (2017), Heft 28, S. 3915-3920
    serialPeriodical
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    academicJournal
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    Epitaxial growth of silicon nanowire arrays at wafer-scale using high-speed rotating-disk CVD for improved light-trapping
    Zhang, X. M. ; Akita, H. ; et al.
    In: CRYSTENGCOMM, Jg. 18 (2016), Heft 33, S. 6153-6157
    Online serialPeriodical
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    A simple, low-cost CVD route to high-quality CH3NH3PbI3 perovskite thin films
    Chen, S. ; Briscoe, J. ; et al.
    In: CRYSTENGCOMM, Jg. 17 (2015), Heft 39, S. 7486-7489
    Online serialPeriodical
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    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    On the effect of silicon in CVD of sp2 hybridized boron nitride thin films
    Chubarov, M. ; Pedersen, H. ; et al.
    In: CRYSTENGCOMM, Jg. 15 (2013), Heft 3, S. 455-458
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    academicJournal
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