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    Effect of holmium addition during LPE growth on the properties of InP and GaInAsP layers
    Procházková, O. ; Zavadil, J. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 47 (1997-07-01), Heft 7, S. 685-691
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Lpe growth method possibilities in A3B5 semiconductors preparation
    Nohavica, D.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 47 (1997-07-01), Heft 7, S. 699-705
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    XPS investigation of LPE garnet films
    SIMSA, Z ; ZEMEK, J
    In: Czechoslovak journal of physics, Jg. 40 (1990), Heft 11, S. 1274-1282
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    LPE growth method possibilities in A3B5 semiconductors preparation : Development of materials science in research and education
    Nohavica, D.
    In: CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, Jg. 47, Heft 7, S. 699-706
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effect of holmium addition during LPE growth on the properties of InP and GaInAsP layers : Development of materials science in research and education
    Prochazkova, O. ; Zavadil, J. ; et al.
    In: CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, Jg. 47, Heft 7, S. 685-692
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Effect of the Bi2201 coexistence on the Bi2212 solidification in the LPE film
    Yamanaka, H. ; Enomoto, H. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 46 (1996-03-01), Heft 3, S. 1477-1478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effect of the Bi2201 coexistence on the Bi2212 solidification in the LPE film : Proceedings of the 21st International Conference on Low Temperature Physics
    Yamanaka, H. ; Enomoto, H. ; et al.
    In: CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, Jg. 46 SUPP/3 (1998), S. 1477-1478
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    XPS investigation of LPE garnet films
    Zemek, Josef ; Šimša, Z.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 40 (1990-11-01), S. 1274-1282
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of the Bi2201 coexistence on the Bi2212 solidification in the LPE film
    Chang, N. S. ; Shin, J. S. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 46 (1996-03-01), S. 1477-1478
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of the Bi2201 coexistence on the Bi2212 solidification in the LPE film : Part S3; Superconductivity II
    Yamanaka, H. ; Enomoto, H. ; et al.
    In: CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, Jg. 46, Heft SUPP 3, S. 1477-1478
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Correlation between Faraday rotation and bismuth and lead contents in LPE YIG films
    Nevřiva, M. ; Šimšová, J. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 34 (1984-10-01), S. 1102-1110
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Preparation and properties of Er and Yb doped InP-based semiconductor compounds.
    Novotný, J. ; Procházková, O. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 49 (1999-05-01), Heft 5, S. 757-763
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Technology of the (Al,Ga)As/GaAs double heterostructure lasers
    Novotný, J. ; Hüttel, I. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 34 (1984-05-01), Heft 5, S. 485-492
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Liquid-phase epitaxy of electroluminescent AlGaAs heterostructures
    Andreev, V. M.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 30 (1980-03-01), Heft 3, S. 262-271
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrooptical properties of InP epitaxial layers grown with rare-earth admixture.
    Zavadil, J. ; Žďánský, K. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 49 (1999-05-01), Heft 5, S. 765-774
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    InP-based optoelectronic devices for optical fiber communications.
    Luo, Yi ; Chen, Liang-Hui ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 49 (1999-05-01), Heft 5, S. 751-756
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The study of photoluminescence spectra depth profiles of epitaxial layers GaP: Zn, O
    Výborný, Z. ; Pastrňák, J.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 31 (1981-04-01), Heft 4, S. 433-440
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Contributions of Bi and Pb ions to Faraday rotation of YIG
    Šimša, Z. ; Durčok, S. ; et al.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 37 (1987), Heft 1, S. 108-115
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    State-of-the art and prospects of A<superscript>III</superscript>B<superscript>V</superscript> science and technology
    Alferov, Zh. I.
    In: Czechoslovak Journal of Physics, Jg. 30 (1980-03-01), Heft 3, S. 245-261
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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