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    Examination and evaluation of La2O3 as gate dielectric for sub-100 nm CMOS and DRAM technology
    CAPODIECI, V ; WIEST, F ; et al.
    In: Dielectrics in microelectronics (WoDiM 2004), Jg. 45 (2005), Heft 5-6, S. 937-940
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Process integration and nanometer-scale electrical characterization of crystalline high-k gate dielectrics
    SCHWALKE, Udo ; STEFANOV, Yordan
    In: Dielectrics in microelectronics (WoDiM 2004), Jg. 45 (2005), Heft 5-6, S. 790-793
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Conduction band states of transition metal (TM) high-k gate dielectrics as determined from X-ray absorption spectra
    LUCOVSKY, G ; HONG, J. G ; et al.
    In: Dielectrics in microelectronics (WoDiM 2004), Jg. 45 (2005), Heft 5-6, S. 827-830
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    AVD® technology for deposition of next generation devices
    WEBER, U ; SCHUMACHER, M ; et al.
    In: Dielectrics in microelectronics (WoDiM 2004), Jg. 45 (2005), Heft 5-6, S. 945-948
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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