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    Novel shallow trench isolation process using flowable oxide CVD for sub-100 nm DRAM
    Sohn, Hyun-Chul ; Lee, Sang-Don ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Thermally stable CVD HfO/sub x/N/sub y/ advanced gate dielectrics with poly-Si gate electrode
    Clark, Robert D. ; Niwa, M. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    90 nm generation Cu/CVD low-k (k>2.5) interconnect technology
    Jang, S.M. ; Chen, Y.H. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD
    Oh, Jungwoo ; Wang, Xiang-Dong ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Thermally stable CVD HfO/sub x/N/sub y/ advanced gate dielectrics with poly-Si gate electrode
    Choi, C.H. ; Rhee, S.J. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD
    Jones, R.E. ; Thomas, S.G. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Novel shallow trench isolation process using flowable oxide CVD for sub-100 nm DRAM
    Chung, Sung-Woong ; Ahn, Sang-Tae ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    90 nm generation Cu/CVD low-k (k>2.5) interconnect technology
    Bao, T.I. ; Ko, C.C. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Thermally stable CVD HfOxNy advanced gate dielectrics with poly-Si gate electrode.
    Choi, C.H. ; Rhee, S.J. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 857-860
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD.
    Jones, R.E. ; Thomas, S.G. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 793-796
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    90 nm generation Cu/CVD low-k (k<2.5) interconnect technology.
    Bao, T.I. ; Ko, C.C. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 583-586
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Novel shallow trench isolation process using flowable oxide CVD for sub-100 nm DRAM.
    Chung, Sung-Woong ; Ahn, Sang-Tae ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 233-236
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Advanced metal barrier free Cu damascene interconnects with PECVD silicon carbide barriers for 90/65-nm BEOL technology
    Chen, Yen-Ting ; Jang, S.M. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High performance cell technology featuring sub-100nm DRAM with multi-gigabit density
    Lee, Deok-Hyung ; Choi, Si-Young ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-26
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Highly manufacturable 90 nm DRAM technology
    Bae, D.I. ; Hong, S.H. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2003-06-25
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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