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    A 90 nm communication technology featuring SiGe HBT transistors, RF CMOS, precision R-L-C RF elements and 1 /spl mu/m2 6-T SRAM cell
    Kuhn, K. ; Agostinelli, M. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 73-76
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully electronic DNA detection on a CMOS chip: device and process issues
    Hofmann, F. ; Frey, A. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 488-491
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Trends in CMOS image sensor technology and design
    El Gamal, A.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 805-808
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reset noise suppression in two-dimensional CMOS photodiode pixels through column-based feedback-reset
    Pain, B. ; Cunningham, T.J. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 809-812
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    65 nm CMOS technology (CMOS5) with high density embedded memories for broadband microprocessor applications
    Yanagiya, N. ; Matsuda, S. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 57-60
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design for scaled thin film strained-SOI CMOS devices with higher carrier mobility
    Mizuno, T. ; Sugiyama, N. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 31-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel nickel SALICIDE process technology for CMOS devices with sub-40 nm physical gate length
    Lu, J.P. ; Miles, D. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 371-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 0.25/spl mu/m CMOS based 70V smart power technology with deep trench for high-voltage isolation
    Parthasarathy, V. ; Zhu, R. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 459-462
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A novel stack capacitor cell for high density FeRAM compatible with CMOS logic
    Hayashi, T. ; Igarashi, Y. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 543-546
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Silicon on Depletion Layer FET (SODEL FET) for sub-50 nm high performance CMOS applications: novel channel and S/D profile engineering schemes by selective Si epitaxial growth technology
    Inaba, S. ; Miyano, K. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 659-662
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Active pixel image sensor scale down in 0.18 /spl mu/m CMOS technology
    Chien, Ho-Ching ; Wuu, Shou-Gwo ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 813-816
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Stress-induced voiding phenomena for an actual CMOS LSI interconnects
    Yoshida, K. ; Fujimaki, T. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 753-756
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 90-nm CMOS device technology with high-speed, general-purpose, and low-leakage transistors for system on chip applications
    Wu, C.C. ; Leung, Y.K. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 65-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The effective drive current in CMOS inverters
    Na, M.H. ; Nowak, E.J. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 121-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    75 nm damascene metal gate and high-k integration for advanced CMOS devices
    Guillaumot, B. ; Garros, X. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 355-358
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of realistic dopant fluctuation induced device characteristics variation for sub-100 nm CMOS by using atomistic 3D process/device simulator
    Ezaki, T. ; Ikezawa, T. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 311-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Advanced Si/sub 1-x/Gex source/drain and contact technologies for sub-70 nm CMOS
    Ozturk, M.C. ; Liu, Jing ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 375-378
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Manufacturable embedded CMOS 6T-SRAM technology with high-k gate dielectric device for system-on-chip applications
    Oh, C.B. ; Kang, H.S. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 423-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A novel 0.79 /spl mu/m/sup 2/ SRAM cell by KrF lithography and high performance 90 nm CMOS technology for ultra high speed SRAM
    Jung, Soon-Moon ; Kwon, Hyungshin ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 419-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High performance 30 nm bulk CMOS for 65 nm technology node (CMOS5)
    Morifuji, E. ; Kanda, M. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 655-658
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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