Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
145 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

145 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Investigation on Germanium Transistors with HfOx-Based Gate Stacks for CMOS Operations
    Hong, Tzu-Chieh ; Su, Chun-Jung ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 13 (2024), Heft 1, S. 015005-15005
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Hydrogen Termination Effect on SiO2/Si Interface State Density in CH3O-Molecular-Ion-Implanted Silicon Epitaxial Wafer for CMOS Image Sensors
    Okuyama, Ryosuke ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 13 (2024), Heft 1, S. 017005-17005
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A Comparison of CNTFET and CMOS Technology through the Design of a SRAM Cell
    and, Marani
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 8 (2019), Heft 1, S. M1- (18S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Impact of Some Processing Steps onto the Strain Distributions in FD-SOI CMOS Planar Devices: A Contribution of Dark-Field Electron Holography
    and, Benoit
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 9, S. P473- (7S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Design and Simulation Study of Full Adder Circuit Based on CNTFET and CMOS Technology by ADS
    and, Marani
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 6, S. M108- (15S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Impact of Scaling on Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications
    Kumari, N. Aruna ; Sreenivasulu, V. Bharath ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 12 (2023-03-01), Heft 3, S. 033001-33001
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    On the Manifestation of Ge Pre-Amorphization Implantation (PAI) in Forming Ultrathin TiSix for Ti Direct Contact on Si in Sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Technology Nodes
    Mao, Juan ; Xu, Jing ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 9, S. P660- (5S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dark Current Spectroscopy of Transition Metals in CMOS Image Sensors
    Russo, Felice ; Nardone, Giancarlo ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 5, S. P217- (10S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Influence of Oxide Interlayer by TiN Metal Gate in High-k First CMOS Devices
    He, Yonggen ; Chen, Yong ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 5, S. P296- (4S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Role of CMOS Back-End Metals as Active Electrodes for Resistive Switching in ReRAM Cells
    and, King
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 1, S. N1- (9S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Review—Design and Characterization of Digital Gates based on CNTFET and CMOS Technology
    Marani, R. ; Perri, A. G.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-07-01), Heft 7, S. 071004-71004
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Improvement in the Performance of III-V Channel Based Ultra-Thin Junction-Less-Hybrid CMOS Circuits with Mixed Mode Analysis
    Rout, Soumendra Prasad ; Dutta, Pradipta ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-05-01), Heft 5, S. 051001-51001
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ultra-Shallow Junction Formation by Monolayer Doping Process in Single Crystalline Si and Ge for Future CMOS Devices
    Chuang, Shiun ; Cho, Chun ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 5, S. P350- (6S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Review—Current Mirror Analysis and Design in CNTFET and CMOS Technology Including Noise Effects
    Marani, R. ; Gelao, G. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-10-01), Heft 10, S. 101004-101004
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of CoSi2 Formation Process on CMOS Transistor Electrical Properties for Sub-100-nm Memory Applications
    Hoon, Jeong ; Jin, Sang ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 5, S. P264- (8S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Communication-CMOS Thin-Film Transistors via Xe Flash-Lamp Crystallization of Patterned Amorphous Si
    and, Manley
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 12, S. Q179- (3S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology
    Wang, Guilei ; Xu, Qiang ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 3 (2014), Heft 4, S. P82- (4S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Nanoscale Etching of In0.53Ga0.47As in H2O2/HCl Solutions for Advanced CMOS Processing
    van, Dennis H. ; Arnauts, Sophia ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 3 (2014), Heft 6, S. P179- (6S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS without Doping on SOI: Multi-Gate Si-Nanowire Transistors for Logic and Memory Applications
    and, Krauss
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 6, S. Q88- (6S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Silicon CMOS Ohmic Contact Technology for Contacting III-V Compound Materials
    Pacella, Nan Y. ; Mukherjee, Kunal ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 7, S. P324- (8S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -