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    Insights into the C Distribution in Si:C/Si:C:P and the Annealing Behavior of Si:C Layers
    Kumar, Sathish ; Nuytten, Thomas ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 8 (2019), Heft 4, S. P209- (8S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Si and Ge Epitaxial Growth
    Murota, Junichi ; Yamamoto, Yuji ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 6, S. P305- (6S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    On the Evolution of Strain and Electrical Properties in As-Grown and Annealed Si:P Epitaxial Films for Source-Drain Stressor Applications
    kumar, Sathish ; Kujala, Jiri ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 5, S. P228- (10S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Local Arrangement of Substitutional C Atoms and the Thermal Stability of Epitaxial Si:C(P) Grown by CVD
    Kumar, Sathish ; Nuytten, Thomas ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 12, S. P755- (5S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Design Requirements for Group-IV Laser Based on Fully Strained Ge1?xSnx Embedded in Partially Relaxed Si1?y?zGeySnz Buffer Layers
    Shimura, Yosuke ; Ashwyn, Srinivasan ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 5, S. Q140- (4S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    B and Ga Co-Doped Si1−xGexfor p-Type Source/Drain Contacts
    Rengo, Gianluca ; Porret, Clement ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 11 (2022-02-01), Heft 2, S. 024008-24008
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Epitaxial Ge-on-Nothing and Epitaxial Ge on Si-on-Nothing as Virtual Substrates for 3D Device Stacking Technologies
    Loo, R. ; Porret, C. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 10 (2021-08-01), Heft 8, S. 084003-84003
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Epitaxial Growth of Active Si on Top of SiGe Etch Stop Layer in View of 3D Device Integration
    Loo, R. ; Jourdain, A. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 10 (2021), Heft 1, S. 014001-14001
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Source/Drain Materials for Ge nMOS Devices: Phosphorus Activation in Epitaxial Si, Ge, Ge1−xSnxand SiyGe1−x−ySnx
    Vohra, Anurag ; Makkonen, Ilja ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 9 (2020-01-05), Heft 4, S. 044010-44010
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Insights into the C Distribution in Si:C/Si:C:P and the Annealing Behavior of Si:C Layers
    Dhayalan, Sathish Kumar ; Nuytten, Thomas ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 8 (2019), Heft 4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Very Low Temperature Epitaxy of Group-IV Semiconductors for Use in FinFET, Stacked Nanowires and Monolithic 3D Integration
    Porret, C. ; Hikavyy, A. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 8 (2019), Heft 8
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Editors' Choice—Epitaxial CVD Growth of Ultra-Thin Si Passivation Layers on Strained Ge Fin Structures
    Loo, R. ; Arimura, H. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 2
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Si and Ge Epitaxial Growth
    Murota, Junichi ; Yamamoto, Yuji ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 6
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    On the Evolution of Strain and Electrical Properties in As-Grown and Annealed Si:P Epitaxial Films for Source-Drain Stressor Applications
    Dhayalan, Sathish kumar ; Kujala, Jiri ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 7 (2018), Heft 5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Carbon-Related Defects in Si:C/Silicon Heterostructures Assessed by Deep-Level Transient Spectroscopy
    Simoen, E. ; Dhayalan, S. K. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Local Arrangement of Substitutional C Atoms and the Thermal Stability of Epitaxial Si:C(P) Grown by CVD
    Dhayalan, Sathish Kumar ; Nuytten, Thomas ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 12
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Processing Technologies for Advanced Ge Devices
    Loo, R. ; Hikavyy, A. Y. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 6 (2017), Heft 1
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design Requirements for Group-IV Laser Based on Fully Strained Ge1−xSnxEmbedded in Partially Relaxed Si1−y−zGeySnzBuffer Layers
    Shimura, Yosuke ; Srinivasan, Srinivasan Ashwyn ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Review—Device Assessment of Electrically Active Defects in High-Mobility Materials
    Claeys, C. ; Simoen, E. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Crystalline Properties and Strain Relaxation Mechanism of CVD Grown GeSn
    Gencarelli, F. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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