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    Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4 Strain in the Collector Region
    Al, Mahmoud S. ; Fregonese, Sebastien ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), Heft 6, S. 191-199
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    pnpn and npn Heterostructural Optoelectronic Devices
    Guo, Feng
    In: ECS Transactions, Jg. 28 (2010-04-16), Heft 4, S. 105-110
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    npn Heterostructural Optoelectronic Switch with Collector Confinement Layer
    Guo, Feng
    In: ECS Transactions, Jg. 28 (2010-04-16), Heft 4, S. 111-118
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4Strain in the Collector Region
    Al-Sa'di, Mahmoud S. ; Fregonese, Sébastien ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), Heft 6
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Improved Frequency Response in a SiGe npn Device through Improved Dopant Activation
    Adkisson, James ; Khater, Marwan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), Heft 9
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Issues and Opportunities for Complementary SiGe HBT Technology
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), Heft 7, S. 893-911
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Efficient Band-to-Trap Tunneling Model Including Heterojunction Band Offset
    Gao, Xujiao ; Huang, Andy ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 80 (2017-10-25), Heft 10, S. 1005-1015
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Challenges for Sige Bicmos in Advanced-Node SOI
    Pekarik, Jack ; Jain, Vibhor ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 109 (2022-09-30), Heft 4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    (Invited) (ECS Electronics & Photonics Division Award )Wafer-Level Step-Stressing of InGaP/GaAs HBTs
    Baca, Albert G. ; Kotobi, Joshua A. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 61 (2014-03-20), Heft 4, S. 9-19
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    III-N High-Power Bipolar Transistors
    Dupuis, Russell D ; Kim, Jeomoh ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 58 (2013-08-31), Heft 4, S. 261-267
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Survey of Electrical Signatures Characteristic of Step-Stressed InGaP/GaAs HBTs
    Baca, Albert G ; Scruggs, Andrew J. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), Heft 6, S. 273-282
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Lithography Solutions in Novel High Frequency SiGe HBT Device
    Wang, Lei ; Chen, Fucheng ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 44 (2012-03-16), Heft 1, S. 275-282
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Novel PIN Switch Diode Integrating with 0.18um SiGe HBT BiCMOS Process
    Liu, Donghua ; Qian, Wensheng ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 44 (2012-03-16), Heft 1, S. 105-114
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design, Manufacture and Performance of Germanium Bipolar Transistors
    Li, Kezheng ; Gamble, Harold S. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), Heft 6, S. 181-189
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Technology Computer-Aided Design (TCAD) Feasibility Study of Scaling SiGe HBTs
    Camillo, Renata ; Stricker, Andreas ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), Heft 6, S. 319-329
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Control of Carbon Incorporation in Selectively Grown Epitaxial SiGe:C Layers Dedicated to HBTs
    Vandelle, Benoit ; Brossard, Florence ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), Heft 7, S. 269-274
    serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Manufacturing Control and Optimization of SiGe(C) HBT Epitaxial Growth
    Zhang, Nancy ; Cheng, Poh ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), Heft 7, S. 377-386
    serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    pnpnand npnHeterostructural Optoelectronic Devices
    Guo, Der-Feng
    In: ECS Transactions, Jg. 28 (2010-04-16), Heft 4
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Issues and Opportunities for Complementary SiGe HBT Technology
    Cressler, J. D.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), Heft 7
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Efficient Band-to-Trap Tunneling Model Including Heterojunction Band Offset
    Gao, Xujiao ; Huang, Andy ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 80 (2017-10-25), Heft 10
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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