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    (Invited) Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Silicon and Germanium Epitaxial Growth
    Yamamoto, Yuji ; Murota, Junichi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 79 (2017-05-01), S. 33-42
    Online unknown
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    Impact of Ge-Oxide-Scavenging on Low-T Steam Oxidation and Passivation of Bi-Axially Strained Si0.75Ge0.25
    Wostyn, Kurt ; Holsteyns, Frank ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 93 (2019-10-22), S. 71-72
    Online unknown
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    Evaluation of the Si0.8Ge0.2-on-Si Epitaxial Quality by Inline Surface Light Scattering: A Case Study on the Impact of Interfacial Oxygen
    Kenis, Karine ; Sathish Kumar Dhayalan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 64 (2014-08-12), S. 989-995
    Online unknown
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    (Invited) Implant Free SiGe-Quantum Well: From Device Concept To High-Performing pFETs
    Witters, Liesbeth ; Vincent, Benjamin ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 131-143
    Online unknown
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    Heteroepitaxy of III-V Compound Semiconductors on Silicon for Logic Applications: Selective Area Epitaxy in Shallow Trench Isolation Structures vs. Direct Epitaxy Mediated by Strain Relaxed Buffers
    Cantoro, Mirco ; Jiang, Sijia ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 349-355
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    (Invited) Selective Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Heterostructures on Si Substrates for Logic Applications
    Dekoster, Johan ; Winderickx, G. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 933-939
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    Vapor Phase Doping with N-type Dopant into Silicon by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition
    Conard, Thierry ; Ngoc Duy Nguyen ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 495-502
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    Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTetraChloride as a novel Carbon-Dopant and Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium Chemical Vapor Deposition
    Leys, Frederik ; Shi, Xiaoping ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 159-162
    Online unknown
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    Strained Silicon on Wafer Level by Waferbonding: Materials Processing, Strain Measurements and Strain Relaxation
    Reiche, Manfred ; Moutanabbir, Ousssama ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 311-320
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    Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow Trench Isolation: An Approach for Ge Virtual Substrates
    Heyns, Marc ; Loo, Roger ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 829-836
    Online unknown
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    Electrical Activity of Dislocations and Defects in Strained Si and Ge Based Devices
    Mireia Bargallo Gonzalez ; Eneman, Geert ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 513-527
    Online unknown
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    From Thin Relaxed SiGe Buffer Layers to Strained Silicon Directly on Oxide
    Radu, I. ; Hueging, Norbert ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 1047-1055
    Online unknown
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    The Deposition of Polycrystalline SiGe with Different Ge Precursors
    Shenai, Deo ; Brus, Stephan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 849-860
    Online unknown
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