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219 Treffer

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    Point to Point ESD Protection Network, a Flexible and Competitive Strategy Demonstrated in Advanced CMOS Technology : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2013
    Guitard, N. ; Bourgeat, J. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2013, S. 199-208
    Konferenz
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    Exploring ESD Challenges in Sub-20-nm Bulk FinFET CMOS Technology Nodes : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2013
    Chen, S. H. ; Hellings, G. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2013, S. 1-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of the On-Chip and Off-Chip ESD Protection Network on Transient-Induced Latch-up in CMOS IC : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2013
    Scholz, M. ; Chen, S. H. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2013, S. 148-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD-Transient Detection Circuit with Equivalent Capacitance-Coupling Detection Mechanism and High Efficiency of Layout Area in a 65 nm CMOS Technology : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2013
    Yeh, C. T. ; Ker, M. D.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2013, S. 71-77
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High CDM Resistant Low-Cap SCR for 0.9 V Advanced CMOS Technology : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2013
    Su, Y. T. ; Chang, T. H. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2013, S. 15-21
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    1A.3 ESD Design Challenges in 28 nm Hybrid FDSOI/Bulk Advanced CMOS Process : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium; Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2012: Tucson, Arizona, USA, September 9-14, 2012
    Dray, A. ; Guitard, N. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2012, S. 15-21
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    6A.1 Design of ESD Protection Cell for Dual-Band RF Applications in a 65-nm CMOS Process : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium; Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2012: Tucson, Arizona, USA, September 9-14, 2012
    Chu, L. W. ; Lin, C. Y. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2012, S. 331-335
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    5B.1 Design and Optimization of SCR Devices for On-Chip ESD Protection in Advanced SOI CMOS Technologies : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium; Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2012: Tucson, Arizona, USA, September 9-14, 2012
    Li, J. ; Di Sarro, J. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2012, S. 312-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    3A.4 Latch-up Characterization and Checking of a 55 nm CMOS Mixed Voltage Design : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium; Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2012: Tucson, Arizona, USA, September 9-14, 2012
    Oberoi, A. ; Khazhinsky, M. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2012, S. 161-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    1A.1 ESD Characterization of High Mobility SiGe Quantum Well and Ge Devices for Future CMOS Scaling : Electrical overstress/electrostatic discharge symposium; Electrical overstress/electrostatic discharge symposium proceedings 2012: Tucson, Arizona, USA, September 9-14, 2012
    Hellings, G. ; Chen, S. H. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2012, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    2A.4 CDM Secondary Clamp of RX and TX for High Speed SerDes Application in 40 nm CMOS Technology : Electrical overstress/ electrostatic discharge symposium
    Okushima, M. ; Tsuruta, J.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2011, S. 94-99
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    2A.2 ss Matriz Concept for ESD Power Devices, Demonstrators in C45 nm & C32 nm CMOS Technology : Electrical overstress/ electrostatic discharge symposium
    Galy, P. ; Bourgeat, J. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2011, S. 82-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    1A.5 On Gated Diodes for ESD Protection in Bulk FinFET CMOS Technology : Electrical overstress/ electrostatic discharge symposium
    Thijs, S. ; Griffoni, A. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2011, S. 27-34
    Konferenz
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    1B.4 ESD Robust DeMOS Devices in Advanced CMOS Technologies : Electrical overstress/ electrostatic discharge symposium
    Shrivastava, M. ; Russ, C. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2011, S. 59-68
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    1A.4. Technology Scaling Effects on the ESD Performance of Silicide-Blocked PMOSFET Devices in Nanometer Bulk CMOS Technologies : Electrical overstress/ electrostatic discharge symposium
    Li, J. ; Mishra, R. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2011, S. 22-26
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    2A.1 An ESD Design Automation Framework and Tool Flow for Nano-scale CMOS Technologies : Electrical Overstress- Electrostatic Discharge Symposium
    Muhammad, M. ; Gauthier, R. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2010, S. 91-96
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    5A.6 A 4.5 kV HBM, 300 V CDM, 1.2kV HMM ESD Protected DC-to-16.1 GHz Wideband LNA in 90 nm CMOS : Electrical Overstress- Electrostatic Discharge Symposium
    Linten, D. ; Borremans, J. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 31 (2009), S. 352-357
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    5A.9 Center Balanced Distributed ESD Protection for 1-110 GHz Distributed Amplifier in 45 nm CMOS Technology : Electrical Overstress- Electrostatic Discharge Symposium
    Thijs, S. ; Groeseneken, G. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 31 (2009), S. 371-376
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    5A.3 CDM and HBM Analysis of ESD Protected 60 GHz Power Amplifier in 45 nm Low-Power Digital CMOS : Electrical Overstress- Electrostatic Discharge Symposium
    Thijs, S. ; Raczkowski, K. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 31 (2009), S. 329-333
    Konferenz
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    3A.4 IGBT Plugged in SCR Device for ESD Protection in Advanced CMOS Technology : Electrical Overstress- Electrostatic Discharge Symposium
    Shrivastava, M. ; Jain, R. ; et al.
    In: ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 31 (2009), S. 221-229
    Konferenz
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