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    Trends in CMOS image sensor technology and design
    EL GAMAL, Abbas
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 805-808
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reset noise suppression in two-dimensional CMOS photodiode pixels through column-based feedback-reset
    PAIN, B ; CUNNINGHAM, T. J ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 809-812
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Compact modeling of drain and gate current noise for RF CMOS
    SCHOLTEN, A. J ; TIEMEIJER, L. F ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 129-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Active pixel image sensor scale down in 0.18um CMOS technology
    CHIEN, Ho-Ching ; WUU, Shou-Gwo ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 813-816
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A novel stack capacitor cell for high density FeRAM compatible with CMOS logic
    HAYASHI, Takahisa ; IGARASHI, Yasushi ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 543-546
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Observation of hot-carrier-induced nFET gate-oxide breakdown in dynamically stressed CMOS circuits
    KACZER, B ; CRUPI, F ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 171-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical integrity of state-of-the-art 0.13 μm SOI CMOS devices and circuits transferred for three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) fabrication
    GUARINI, K. W ; TOPOL, A. W ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 943-945
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Silicon on depletion layer FET (SODEL FET) for sub-50 nm high performance CMOS applications: Novel channel and S/D profile engineering schemes by selective Si epitaxial growth technology
    INABA, S ; MIYANO, K ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 659-662
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Integration of a 0.13-μm CMOS and a high performance self-aligned SiGe HBT featuring low base resistance
    HASHIMOTO, Takashi ; NONAKA, Yusuke ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 779-782
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fully electronic DNA detection on a CMOS chip: Device and process issues
    HOFMANN, Franz ; FREY, Alexander ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 488-491
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Device performance of sub-50 nm CMOS with ultra-thin plasma nitrided gate dielectrics
    INABA, S ; SHIMIZU, T ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 651-654
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design for scaled thin film strained-SOI CMOS devices with higher carrier mobility
    MIZUNO, T ; SUGIYAMA, N ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 31-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 90 nm communication technology featuring SiGe HBT transistors, RF CMOS, precision R-L-C RF elements and 1 um2 6-T SRAM cell
    KUHN, K ; AGOSTINELLI, M ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 73-76
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Tunable work function molybdenum gate technology for FDSOI-CMOS
    RANADE, Pushkar ; CHOI, Yang-Kyu ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 363-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The effective drive current in CMOS inverters
    NA, M. H ; NOWAK, E. J ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 121-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stress-induced voiding phenomena for an actual CMOS LSI interconnects
    YOSHIDA, K ; FUJIMAKI, T ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 753-756
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Nitride-sandwiched-oxide gate insulator for low power CMOS
    ISHIKAWA, D ; SAKAI, S ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 869-872
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling of ultrahighly doped shallow junctions for aggressively scaled CMOS
    KENNEL, H. W ; CEA, S. M ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 875-878
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Manufacturable embedded CMOS 6T-SRAM technology with high-k gate dielectric device for system-on-chip applications
    OH, C. B ; KANG, H. S ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 423-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation of realistic dopant fluctuation induced device characteristics variation for sub-100nm CMOS by using atomistic 3D process/device simulator
    EZAKI, Tatsuya ; IKEZAWA, Takeo ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 311-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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