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    Electrical integrity of state-of-the-art 0.13 μm SOI CMOS devices and circuits transferred for three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) fabrication
    GUARINI, K. W ; TOPOL, A. W ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 943-945
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Silicon on depletion layer FET (SODEL FET) for sub-50 nm high performance CMOS applications: Novel channel and S/D profile engineering schemes by selective Si epitaxial growth technology
    INABA, S ; MIYANO, K ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 659-662
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tunable work function molybdenum gate technology for FDSOI-CMOS
    RANADE, Pushkar ; CHOI, Yang-Kyu ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 363-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of realistic dopant fluctuation induced device characteristics variation for sub-100nm CMOS by using atomistic 3D process/device simulator
    EZAKI, Tatsuya ; IKEZAWA, Takeo ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 311-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performance 30nm bulk CMOS for 65nm technology node(CMOS5)
    MORIFUJI, E ; KANDA, M ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 655-658
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dual-metal gate CMOS with HfO2 gate dielectric
    SAMAVEDAM, S. B ; LA, L. B ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 433-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    65nm CMOS technology (CMOS5) with high density embedded memories for broadband microprocessor applications
    YANAGIYA, N ; MATSUDA, S ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 57-60
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel locally strained channel technique for high performance 55nm CMOS
    OTA, K ; SUGIHARA, K ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 27-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A highly manufacturable high density embedded SRAM technology for 90nm CMOS
    FUKAURA, Yasuhiro ; KASAI, Kunihiro ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 415-418
    Konferenz
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    FinFET scaling to 10nm gate length
    BIN, YU ; LELAND, CHANG ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 251-254
    Konferenz
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    Strained silicon MOSFET technology
    HOYT, J. L ; NAYFEH, H. M ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 23-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Localization of NBTI-induced oxide damage in direct tunneling regime gate oxide pMOSFET using a novel low gate-leakage gated-diode (L2-GD) method
    CHUNG, Steve S ; LO, D. K ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 513-516
    Konferenz
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    I-MOS: A novel semiconductor device with a subthreshold slope lower than kT/q
    GOPALAKRISHNAN, Kailash ; GRIFFIN, Peter B ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 289-292
    Konferenz
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    Accurate modeling of trench isolation induced mechanical stress effects on MOSFET electrical performance
    BIANCHI, R. A ; BOUCHE, G ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 117-120
    Konferenz
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    A functional FinFET-DGCMOS SRAM cell
    NOWAK, E. J ; RAINEY, B. A ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 411-414
    Konferenz
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