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    Effective recovery mechanism for latent ESD damage in LDD nMOS transistors using a hot electron treatment
    MANKU, T
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994), Heft 24, S. 2074-2076
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Second substrate current peak and its relationship to gate-voltage dependent series resistance in submicrometre nMOS LDD transistors
    GUTIERREZ-D, E. A ; DEFERM, L ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 1, S. 7-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Highly efficient GaAs power MESFETs with n+ -asymmetrical LDD structure
    YANAGIHARA, M ; OTA, Y ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 7, S. 686-687
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot electron degradation in the source of asymmetrical LDD structures
    DOYLE, B. S ; BOURCERIE, M ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 23 (1987), Heft 25, S. 1356-1357
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Use of sacrificial spacers for fabricating LDD transistors in a CMOS process
    HUANG, T. Y ; WU, I. W ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 22 (1986), Heft 8, S. 430-432
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Extraction of source and drain resistances in MOSFETs using parasitic bipolar junction transistor
    KIM, H. T ; NAM, I. C ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 41 (2005), Heft 13, S. 772-774
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    New pin MOSFET structure for hot carrier suppression
    MANNA, I ; JUNG, L ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994), Heft 5, S. 457-459
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier reliability in double-implanted lightly doped drain devices for advances DRAMs
    DITALI, A ; FAZAN, P ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 1, S. 19-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique
    SUITA, M ; NANJO, T ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 44 (2008), Heft 23, S. 1378-1379
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Spatially uniform degradation in nMOSFETs : evidence from gate capacitance and charge pumping current
    LING, C. H ; ANG, D. S ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994), Heft 20, S. 1720-1722
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Simple extraction method for mobility parameters in Si-MOSFETs at 77K
    LEE, J. I ; LEE, M. B ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 13, S. 852-854
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    New submicron MOSFET structural concept for suppression of hot carriers
    TASCH, A. F ; SHIN, H ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 1, S. 39-41
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Feasibility demonstration of 20 Gbit/s single channel soliton transmission over 11500 km using alternating-amplitude solitons
    SUZUKI, M ; EDAGAWA, N ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994), Heft 13, S. 1083-1084
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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