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    CMOS LSI-based multichip flexible neural stimulation device with embedded bulk Pt electrodes
    TOKUDA, T ; SUGITANI, S ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 43 (2007), Heft 1, S. 10-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TORUS-switch : a scalable internal speed-up ATM switch architecture and its 5 Gbit/s switch LSI
    GENDA, K ; YAMANAKA, N
    In: Electronics Letters, Jg. 31 (1995), Heft 11, S. 906-908
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    high-speed analogue neural-netword LSI employing super-selfaligned Si bipolar process technology
    KOGA, M ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), Heft 18, S. 1678-1680
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Cell processing LSIs for 2.4Gbit/s SDH-based ATM transmission system
    TATSUNO, H ; TOKURA, N ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), Heft 14, S. 1222-1224
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Newly structured expandable 52-Mbit/s, 48-channel time-division switching LSI with 2•4 Gbit/s throughput
    YAMANAKA, N ; KIKUCHI, S ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 8, S. 524-526
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    1 Gbit/s high-speed bit-synchronisation LSI for B-ISDN
    OTSUKA, Y
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 10, S. 622-624
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-speed regenerator section terminating LSIS
    YAMABAYASHI, Y ; SATO, Y ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), Heft 23, S. 2057-2058
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High speed regenerator-section terminating LSI operating up to 2.5 Gbit/s using 0.5μm Si bipolar standard-cell technology
    KAWAI, K ; KOIKE, K ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 31 (1995), Heft 10, S. 791-792
    academicJournal
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    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Optimal structure for microgrooved cooling fin for high-power LSI devices
    SASAKI, S ; KISHIMOTO, T
    In: Electronics Letters, Jg. 22 (1986), Heft 25, S. 1332-1334
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Subscriber line interface circuit LSI fabricated using high-voltage CMOS/SIMOX technology
    NAKASHIMA, S ; MAEDA, Y
    In: Electronics Letters, Jg. 19 (1983), Heft 25-26, S. 1095-1097
    academicJournal
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