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    NMOS only Schmitt trigger circuit for NBTI resilient CMOS circuits
    Shah, A. ; Yadav, N. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 54 (2018), Heft 14, S. 868-870
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    Reduction of NEP variations for terahertz detectors using Schottky barrier diodes in CMOS
    Kim, D. ; O, K. K.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 11, S. 732-734
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    Differential capacitive pressure sensor design based on standard CMOS
    Unigarro, E. ; Bohórquez, J. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 11, S. 737-739
    Online serialPeriodical
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    Single-ended 2 ch. × 3.4 Gbit/s dual-mode near-ground transmitter IO driver in 45 nm CMOS process
    Kim, E. ; Oh, T.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 5, S. 308-310
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    Low power-delay-product dynamic CMOS circuit design techniques
    Xue, H. ; Ren, S.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 5, S. 302-304
    Online serialPeriodical
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    0.9 V third-order 132 MHz single-OPAMP analogue filter in 28 nm CMOS
    De Matteis, M. ; Donno, A. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 2, S. 77-79
    Online serialPeriodical
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    Dual CDS scheme embedded in SAR-based ADCs for low-noise CMOS imagers without a PGA
    Kim, M. ; Hong, S. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 1, S. 16-18
    Online serialPeriodical
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    21.3 dBm 18.5 GHz-BW 8-way E-band power amplifier in 28 nm high performance mobile CMOS
    Zhao, D. ; Reynaert, P.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 19, S. 1310-1312
    Online serialPeriodical
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    Breakdown and optical response of CMOS perimeter gated single-photon avalanche diodes
    Habib, M. ; McFarlane, N.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 53 (2017), Heft 19, S. 1323-1325
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    1–2 GHz 2 mW injection-locked ring oscillator based phase shifter in 0.18 µm CMOS technology
    Cai, L. J. ; Xiao, P. Y. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 22, S. 1858-1860
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    1.2 V CMOS temperature compensated logarithmic converter based on translinear circuit
    Chunfeng, B. ; Jianhui, W.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 21, S. 1742-1744
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Sporadically-driven clock-less in-pixel multi-bit energy discriminator for X-ray spectrometry CMOS PCD imagers
    Kim, H. S.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 19, S. 1590-1592
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    60 GHz 5-bit digital controlled phase shifter in a digital 40 nm CMOS technology without ultra-thick metals
    Gao, H. ; Ying, K. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 19, S. 1611-1613
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Wireless digital data transmission from a 300 GHz CMOS transmitter
    Takano, K. ; Katayama, K. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 15, S. 1353-1355
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    5.3 GHz 42% PAE class-E power amplifier with 532 mW/mm2 power area density in 180 nm CMOS process
    Alsuraisry, H. ; Wu, M. H. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 15, S. 1338-1340
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Experimental verification of on-chip CMOS fractional-order capacitor emulators
    Tsirimokou, G. ; Psychalinos, C. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 15, S. 1298-1300
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved IIP3 double-pole double-throw switch with body and gate floated multi-stack resonator in 65 nm CMOS for WiGig applications
    Kim, J. S. ; Shin, G. S. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 8, S. 665-667
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Micropower CMOS lock-in amplifier for portable applications
    Maya Hernández, P. M. ; Sanz Pascual, M. T. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 10, S. 828-830
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    160 dB dynamic range pixel with charge compensation for CMOS image sensor
    Zhaohan, L. ; Xinyang, W. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 10, S. 819-821
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    Self-biased anti-parallel diode pair in 130-nm CMOS
    Shim, D. ; O, K.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 52 (2016), Heft 13, S. 1147-1149
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