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    A new p+-i-n+ photodiode SPICE model for CMOS pixel applications
    NEGRU, R ; BONNASSIEUX, Y ; et al.
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 41 (2008), Heft 3, S. 205-213
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and characterization of high voltage devices integrated in a standard CMOS technology
    VILLARD, B ; CALMON, F ; et al.
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 16 (2001), Heft 2, S. 113-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Physical and technological limitations of NanoCMOS devices to the end of the roadmap and beyond
    DELEONIBUS, S
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 36 (2006), Heft 3, S. 197-214
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ultra thin gate oxide characterization
    ROY, D ; BRUYERE, S ; et al.
    In: 10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors - DRIP-X, Batz-sur-Mer, France, 29th September-2nd October, 2003, Jg. 27 (2004), Heft 1-3, S. 21-27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High dielectric constant oxides
    ROBERTSON, J
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 28 (2004), Heft 3, S. 265-291
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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