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    Polymers for high performance interconnects
    Taylor, K.J. ; Jeng, S. P. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High aspect ratio quarter-micron electroless copper integrated technology
    Shacham-Diamand, Y. ; Lopatin, S.Y.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 11-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Copper CMP evaluation: slurry chemical effect on planarization
    Romagna, F. ; Fayolle, M.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 32-35
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multilevel interconnection technologies and future requirements for logic applications
    Brillouet, M.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 36-39
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of a stack of two fluorine doped silicon oxide thin films with interconnect metallization for a sub-0.35 /spl mu/m inter-metal dielectric applications
    Baud, L. ; Passemard, G. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 64-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Cleaning after silicon oxide CMP
    Tardif, F. ; Mansart, I. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 74-77
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Sub-half micron metallization using high pressure Al
    Rich, P.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 78-81
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Three dimensional metallization for vertically integrated circuits
    Bollmann, D. ; Braun, R. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 94-98
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of thin TiSi2 films by spectroscopic ellipsometry and thermal wave analysis
    Kal, S. ; Kasko, I. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 169-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Local nucleation and lateral crystallisation of the silicide phases in CoSi2 buffer layer of YBCO/CoSi2/Si structure
    Belousov, I. ; Rudenko, E. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 185-188
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Formation of thin film of C- and Ni-silicide by MEVVA implantation
    Zhang, Y. ; Whitlow, H.J. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 192-195
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The effect of an additional Ti layer in a sub-/spl mu/m double level Ti/TiN-AlSiCu-TiN metallization for a CMOS-logic-process
    Stegemann, K.H. ; Beyer, C. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 40-42
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    SiOF and SiO2 deposition in a HDP reactor: tool characterisation and film analysis
    den Boer, D.J. ; Fukuda, H. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 71-73
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CVD process for copper interconnection
    Marcadal, C. ; Richard, E. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 15-17
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Conformal copper deposition in deep trenches
    Bollmann, D. ; Merkel, R. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 20-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Integration evaluation of low permittivity silicon based spin on materials as IMD
    Pires, F. ; Noel, P. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 68-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Deposition of barrier layer and CVD copper under no exposed wafer conditions: adhesion performance and process integration
    Braeckelmann, G. ; Manger, D. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 27-29
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of copper diffusion in SiOF, TEOS-oxide and TCA-oxide using bias thermal stress (BTS) tests
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 47-49
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Thermal stress effects on capacitance and current characteristics of Cu/Si and Cu/TiN/Si Schottky-diodes
    Ahrens, C. ; Ferretti, R. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 56-58
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Dry etch challenges of 0.25 /spl mu/m dual damascene structures
    Schnabel, R.F. ; Dobuzinski, D. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 102-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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