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    Glass Glenn, Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Radosavljevic Marko, Fischer Paul, Murthy Anand and Hafez Walid File United States Patent Application for High Breakdown Voltage Structure for High Performance GaN-Based HEMT and MOS Devices to Enable GaN C-MOS.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-07-02
    Zeitungsartikel
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    U.S. Patent and Trademark Office Releases Dasgupta Sansaptak, Radosavljevic Marko, Then Han Wui, Nidhi Nidhi, Ramaswamy Rahul, Rode Johann, Fischer Paul and Hafez Walid's Patent Application for Cap Layer on a Polarization Layer to Preserve Channel Sheet Resistance.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-06-18
    Zeitungsartikel
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    Pillarisetty Ravi, Dasgupta Sansaptak, Mukherjee Niloy, Doyle Brian S, Radosavljevic Marko and Then Han Wui Apply for Patent on Multi-Device Flexible Electronics System on a Chip (SOC) Process Integration.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2017-03-09
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Then Han Wui, Dasgupta Sansaptak, Radosavljevic Marko and Chau Robert S File United States Patent Application for Iii-N Transistors with Epitaxial Layers Providing Steep Subthreshold Swing.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2016-12-15
    Zeitungsartikel
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    Pillarisetty Ravi, Rachmady Willy, Le Van H, Sung Seung Hoon, Kachian Jessica S, Kavalieros Jack T, Then Han Wui, Dewey Gilbert, Radosavljevic Marko, Chu-Kung Benjamin and Mukherjee Niloy File United States Patent Application for Deep Gate-All-Around Semiconductor Device Having Germanium or Group III-V Active Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2016-08-11
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Gardner Sanaz, Chu-Kung Benjamin, Radosavljevic Marko, Sung Seung Hoon and Chau Robert Seek Patent for Forming III-V Device Structures on (111) Planes of Silicon Fins.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2016-07-14
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    U.S. Patent and Trademark Office Releases Pillarisetty Ravi, Rachmady Willy, Le Van H, Sung Seung Hoon, Kachian Jessica S, Kavalieros Jack T, Then Han Wui, Dewey Gilbert, Radosavljevic Marko, Chu-Kung Benjamin and Mukherjee Niloy's Patent Application for Deep Gate-All-Around Semiconductor Device Having Germanium or Group III-V Active Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2015-12-03
    Zeitungsartikel
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    U.S. Patent and Trademark Office Receives Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Gardner Sanaz K, Sung Seung Hoon, Radosavljevic Marko, Chu-Kung Benjamin, Taft Sherry R, Pillarisetty Ravi and Chau Robert S's Patent Application for III-N Devices in Si Trenches.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2015-07-23
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Radosavljevic Marko, Gardner Sanaz K, Sung Seung Hoon, Chu-Kung Benjamin and Chau Robert S Submit United States Patent Application for Low Sheet Resistance Gan Channel on Si Substrates Using Inaln and Algan Bi-Layer Capping Stack.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2015-07-02
    Zeitungsartikel
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    Chu-Kung Benjamin, Le Van, Chau Robert, Dasgupta Sansaptak, Dewey Gilbert, Goel Niti, Kavalieros Jack, Metz Matthew, Mukherjee Niloy, Pillarisetty Ravi, Rachmady Willy, Radosavljevic Marko, Then Han Wui and Zelick Nancy Apply for Patent on Defect Transferred and Lattice Mismatched Epitaxial Film.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-06-29
    Zeitungsartikel
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    Then Han Wui, Dasgupta Sansaptak, Radosavljevic Marko, Chu-Kung Benjamin, Sung Seung Hoon, Gardner Sanaz K and Chau Robert S Apply for Patent on Nonplanar III-N Transistors with Compositionally Graded Semiconductor Channels.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-06-29
    Zeitungsartikel
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    Then Han Wui, Dasgupta Sansaptak, Radosavljevic Marko, Chu-Kung Benjamin, Gardner Sanaz K, Sung Seung Hoon and Chau Robert S File United States Patent Application for Group III-N Transistors on Nanoscale Template Structures.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-06-25
    Zeitungsartikel
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    Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Radosavljevic Marko, Mukherjee Niloy and Chau Robert S Submit Patent Application for III-N Semiconductor-On-Silicon Structures and Techniques.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-06-14
    Zeitungsartikel
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    U.S. Patent and Trademark Office Receives Then Han Wui, Dasgupta Sansaptak, Schrom Gerhard, Rao Valluri R and Chau Robert S's Patent Application for High Breakdown Voltage III-N Depletion Mode MOS Capacitors.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-04-07
    Zeitungsartikel
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    Pillarisetty Ravi, Sung Seung Hoon, Goel Niti, Kavalieros Jack T, Dasgupta Sansaptak, Le Van H, Rachmady Willy, Radosavljevic Marko, Dewey Gilbert, Then Han Wui, Mukherjee Niloy, Metz Matthew V and Chau Robert S Submit United States Patent Application for Trench Confined Epitaxially Grown Device Layer(S).
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-04-07
    Zeitungsartikel
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    Dasgupta Sansaptak, Then Han Wui, Radosavljevic Marko, Mukherjee Niloy, Goel Niti, Kabehie Sanaz, Sung Seung Hoon, Pillarisetty Ravi and Chau Robert S File United States Patent Application for Self-Aligned Structures and Methods for Asymmetric GaN Transistors & Enhancement Mode Operation.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-04-05
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    Pillarisetty Ravi, Goel Niti, Then Han Wui, Le Van H, Rachmady Willy, Radosavljevic Marko, Dewey Gilbert and Chu-Kung Benjamin Submit United States Patent Application for Semiconductor Device Having Germanium Active Layer with Underlying Parasitic Leakage Barrier Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-03-31
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    Radosavljevic Marko, Dewey Gilbert, Chu-Kung Benjamin, Basu Dipanjan, Gardner Sanaz K, Suri Satyarth, Pillarisetty Ravi, Mukherjee Niloy, Then Han Wui and Chau Robert S Submit United States Patent Application for Non-Planar Semiconductor Device Having Channel Region with Low Band-Gap Cladding Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-03-31
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    Dewey Gilbert, Chau Robert S, Radosavljevic Marko, Then Han Wui, Clendenning Scott B and Pillarisetty Ravi Apply for Patent on Non-Planar III-V Field Effect Transistors with Conformal Metal Gate Electrode & Nitrogen Doping of Gate Dielectric Interface.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2014-03-31
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