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    Stranski-Krastanow growth of GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
    MIYAMURA, M ; TACHIBANA, K ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1316-1319
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD
    SUMIYA, Masatomo ; KURUMASA, Youichi ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1060-1064
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New oxide crystal (La, Sr)(Al, Ta)O3 as substrate for GaN epitaxy
    ŁUKASIEWICZ, T ; SWIRKOWICZ, M ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1118-1123
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    MOCVD growth of high reflective GaN/AlGaN distributed Bragg reflectors
    NAKADA, Naoyuki ; ISHIKAWA, Hiroyasu ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 961-967
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Low-pressure MOCVD growth of GaN/AlGaN multiple quantum wells for intersubband transitions
    HOSHINO, K ; SOMEYA, T ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1163-1166
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impurity incorporation in epitaxially laterally overgrown GaN detected by cryogenic photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution
    YOSHIMOTO, Masahiro ; SARAIE, Junji ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1075-1078
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-density V-groove InGaAs/AlGaAs quantum wires on submicron gratings by constant growth technique
    TSURUMACHI, Noriaki ; SON, Chang-Sik ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1486-1490
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor selective deposition
    TACHIBANA, K ; SOMEYA, T ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1312-1315
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of buffer layer on the growth of GaN on Si substrate
    JEONG WOOK, LEE ; SUNG HOON, JUNG ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1094-1098
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Crystal growth of nitride-rich GaNP by laser-assisted metalorganic chemical-vapor deposition
    YOSHIDA, Seikoh ; KIKAWA, Junjiroh ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1037-1041
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Bulk GaN growth by direct synthesis method
    NISHINO, Katsushi ; KIKUTA, Daigo ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 922-925
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Luminescence properties of lithium-doped ZnS epitaxial layers grown by MOCVD
    NAKAMURA, Seiji ; YAMAGUCHI, Junzo ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1570-1574
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -