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    Systematic calibration for transient enhanced diffusion of indium and its application to 0.15-μm logic devices
    Lee, Jun-Ha ; Lee, Seung-Woo ; et al.
    In: ICVC '99. 6th International Conference on VLSI and CAD (Cat. No.99EX361, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Device characteristics and reliability for 0.18 μm MOSFET with 20 Å gate oxide formed by RTO
    Yang, Jeong-Hwan ; Kang, Dae-Rim ; et al.
    In: ICVC '99. 6th International Conference on VLSI and CAD (Cat. No.99EX361, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A high performance 0.13 μm CMOS process for GHz microprocessor manufacture
    Seung Woo Lee ; Sang Jung Jeon ; et al.
    In: ICVC '99. 6th International Conference on VLSI and CAD (Cat. No.99EX361, 2003
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -