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    Fully integrated CMOS and high voltage compatible RF MEMS technology
    Guan, Lingpeng ; Sin, J.K.O. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 35-38
    Konferenz
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    Device technologies for high quality and smaller pixel in CCD and CMOS image sensors
    Abe, H.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 989-992
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selectively formed high mobility strained Ge PMOSFETs for high performance CMOS
    Shang, Huiling ; Chu, J.O. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 157-160
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of high-performance SiGe:C HBTs with thin-film SOI CMOS
    Rucker, H. ; Heinemann, B. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 239-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Highly area efficient and cost effective double stacked S/sup 3/ (stacked single-crystal Si) peripheral CMOS SSTFT and SRAM cell technology for 512M bit density SRAM
    Jung, Soon-Moon ; Lim, Hoon ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 265-268
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully planar 0.562/spl mu/m/sup 2/ T-RAM cell in a 130nm SOI CMOS logic technology for high-density high-performance SRAMs
    Nemati, F. ; Cho, Hyun-Jin ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 273-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Transport properties of sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices
    Wakabayashi, H. ; Ezaki, T. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 429-432
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF power potential of 90 nm CMOS: device options, performance, and reliability
    Scholvin, J. ; Greenberg, D.R. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 455-458
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Lateral IMPATT diodes in standard CMOS technology
    Al-Attar, T. ; Mulligan, M.D. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 459-462
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Pragmatic design of nanoscale multi-gate CMOS
    Fossum, J.G. ; Wang, L.Q. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 613-616
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High performance and low power transistors integrated in 65nm bulk CMOS technology
    Luo, Z. ; Steegen, A. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 661-664
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 65 nm CMOS technology for mobile and digital signal processing applications
    Chatterjee, A. ; Yoon, J. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 665-668
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Transient-induced latchup in CMOS technology: physical mechanism and device simulation
    Ker, Ming-Dou ; Hsu, Sheng-Fu
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 937-940
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Crosstalk improvement technology applicable to 0.14/spl mu/m CMOS image sensor
    Tseng, Chien-Hsien ; Wuu, Shou-Gwo ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 997-1000
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Record RF performance of standard 90 nm CMOS technology
    Tiemeijer, L.F. ; Havens, R.J. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 441-444
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A new cell-based performance metric for novel CMOS device architectures
    Christie, P. ; Heringa, A. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 743-746
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A novel low cost 65nm CMOS process architecture with self aligned isolation and W cladded source/drain
    Blosse, A. ; Ramkumar, K. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 669-672
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Predictive compact modeling of NQS effects and thermal noise in 90nm mixed-signal/RF CMOS technology
    Shih, Wei-Kai ; Mudanai, S. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 747-750
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A compact QM-based mobility model for nanoscale ultra-thin-body CMOS devices
    Trivedi, V.P. ; Fossum, J.G. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 763-766
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comprehensive study of soft errors in advanced CMOS circuits with 90/130 nm technology
    Tosaka, Y. ; Ehara, H. ; et al.
    In: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting,, 2004, S. 941-944
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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