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    MSM Varactor Diodes Based on In0.7Ga0.3As HEMTs With Cut-Off Frequency of 908 GHz
    SEUNG HEON, SHIN ; GEUM, Dae-Myeong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 2, S. 172-174
    Online academicJournal
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    Effects of Channel Width on Stress Enhancement for Damascene-Gate nFETs With Top-Cut Tensile-Stress Liner
    MAYUZUMI, Satoru ; YAMAKAWA, Shinya ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 1, S. 65-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    InGaP/InGaAs HFET with high current density and high cut-off frequencies
    GEIGER, D ; MITTERMEIER, E ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 16 (1995), Heft 6, S. 259-261
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-Frequency Gate-All-Around Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
    JOHANSSON, Sofia ; MEMISEVIC, Elvedin ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 518-520
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    AlGaN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers
    PALACIOS, T ; CHAKRABORTY, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 13-15
    Online academicJournal
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    T-Shaped Gate GaN HFETs on Si With Improved Breakdown Voltage and fMAX
    MURASE, Yasuhiro ; ASANO, Kazunori ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 524-526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SiNx/InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTs With 10.8 THz.V Johnson Figure of Merit
    DOWNEY, Brian P ; MEYER, David J ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 527-529
    Online academicJournal
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    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    RF and DC Analysis of Stressed InGaAs MOSFETs
    ROLL, Guntrade ; LIND, Erik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 2, S. 181-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Monolithic Integration of E/D-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs
    YUECHAN, KONG ; JIANJUN, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 336-338
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels
    ZOTA, Cezar B ; WEMERSSON, Lars-Erik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 342-344
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Improvement of RF Performance by Using Tunnel Diode Body Contact Structure in PD SOI nMOSFETs
    KAI, LU ; JING, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 15-17
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hybrid Amorphous/Nanocrystalline Silicon Schottky Diodes for High Frequency Rectification
    SANZ-ROBINSON, Josue ; RIEUTORT-LOUIS, Warren ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 4, S. 425-427
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High- fMAX High Johnson's Figure-of-Merit 0.2-μm Gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate With AlN/SiNx Passivation
    SEN, HUANG ; KE, WEI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 315-317
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Low-Loss Directly Heated Two-Port RF Phase Change Switch
    MUZHI, WANG ; YONGHYUN, SHIM ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 4, S. 491-493
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    AIGaN/GaN MOS-HEMTs With Gate ZnO Dielectric Layer
    LEE, Ching-Ting ; CHIOU, Ya-Lan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 11, S. 1220-1223
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High Tolerance to Gate Misalignment in Low Voltage Gate-Underlap Double Gate MOSFETs
    KRANTI, Abhinav ; ARMSTRONG, G. Alastair
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 5, S. 503-505
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    On the use of a sige spike in the emitter to improve the fTxBVCEO product of high-speed sige HBTs
    CHOI, L. J ; VAN HUYLENBROECK, S ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 4, S. 270-272
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Sb-Heterostructure Millimeter-Wave Detectors With Reduced Capacitance and Noise Equivalent Power
    SU, N ; RAJAVEL, R ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 536-539
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As Composite-Channel HEMT Using Gate-Sinking Technology
    KUO, Chien-I ; HSU, Heng-Tung ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 4, S. 290-293
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    N-Face Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors With A1N Back-Barrier
    MAN HOI, WONG ; YI, PEI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 10, S. 1101-1104
    Online academicJournal
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