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    Barrier Properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu Diffusion for 3-D TSV
    LEE, Kang-Wook ; HAO, WANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 114-116
    Online academicJournal
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    Scalable High-Performance Phase-Change Memory Employing CVD GeBiTe
    LEE, Jinil ; CHO, Sunglae ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1113-1115
    Online academicJournal
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    Enhanced Current Drivability of CVD Graphene Interconnect in Oxygen-Deficient Environment
    CHANG GOO, KANG ; SANG KYUNG, LEE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1591-1593
    Online academicJournal
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    Full-Wafer Characterization of AIGaN/GaN HEMTs on Free-Standing CVD Diamond Substrates
    CHABAK, Kelson D ; GILLESPIE, James K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 2, S. 99-101
    Online academicJournal
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    Hollow-Cathode CVD N2 Plasma Treatment for Performance and Reliability Improvement of LTPS-TFTs
    FAN, Ching-Lin ; LIN, Yi-Yan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 3, S. 387-389
    Online academicJournal
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    Effect of Temperature and Humidity on NO2 and NH3 Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD
    KIM, Chang-Hee ; YOO, Sung-Won ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 1084-1086
    Online academicJournal
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    Gate-first germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation
    NAN, WU ; QINGCHUN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 6, S. 479-481
    Online academicJournal
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    AlN/GaN insulated-gate HFETs using Cat-CVD SiN
    HIGASHIWAKI, Masataka ; MIMURA, Takashi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 9, S. 719-721
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Cat-CVD SiN-passivated AlGaN-GaN HFETs with thin and high Al composition barrier layers
    HIGASHIWAKI, Masataka ; HIROSE, Nobumitsu ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 3, S. 139-141
    Online academicJournal
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    CVD Rhenium and PVD Tantalum gate MOSFETs fabricated with a replacement technique
    PAN, James ; CANAPERI, Don ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 12, S. 775-777
    Online academicJournal
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    Volltext
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    AlGaN/GaN MIS-HFETs with fT of 163 GHz using Cat-CVD SiN gate-insulating and passivation layers
    HIGASHIWAKI, Masataka ; MATSUI, Toshiaki ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 16-18
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Large-Grain Polycrystalline Silicon Solar Cell on Epitaxial Thickening of AIC Seed Layer by Hot Wire CVD
    WANG, Jui-Hao ; LIEN, Shui-Yang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 1, S. 38-40
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Evidence for two distinct positive trapped charge components in NBTI stressed p-MOSFETs employing ultrathin CVD silicon nitride gate dielectric
    ANG, D. S ; PEY, K. L
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 637-639
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ionizing radiation tolerance and low-frequency noise degradation in UHV/CVD SiGe HBT's
    BABCOCK, J. A ; CRESSLER, J. D ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 16 (1995), Heft 8, S. 351-353
    Online academicJournal
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    Enhancement mode InP MISFET's with sulfide passivation and photo-CVD grown P3N5 gate insulators
    YOON-HA, JEONG ; SEONG-KUE, JO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 16 (1995), Heft 3, S. 109-111
    Online academicJournal
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    A selected-area CVD method for deposition of sensing films on monolithically integrated gas detectors
    SANJEEV, MAJOO ; SCHWANK, J. W ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 16 (1995), Heft 6, S. 217-219
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sulfide treated GaAs MISFET's with gate insulator of photo-CVD grown P3N5 film
    YOON-HA, JEONG ; KI-HAWN, CHOI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 15 (1994), Heft 7, S. 251-253
    Online academicJournal
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    Highly reliable, high-C DRAM storage capacitors with CVD Ta2O5 films on rugged polysilicon
    LO, G. Q ; DIM-LEE, KWONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 5, S. 216-218
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    High-performance SiGe epitaxial base bipolar transistors produced by a reduced-pressure CVD reactor
    MERIT, HONG ; DE FRESART, E ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 9, S. 450-452
    Online academicJournal
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    Planar A1GaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors fabricated using selective W-CVD
    MITANI, K ; MASUDA, H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 4, S. 209-210
    Online academicJournal
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