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    Evaluation of Positive-Bias-Stress-Induced Degradation in InSnZnO Thin-Film Transistors by Low Frequency Noise Measurement
    Jiang, Zhendong ; Zhang, Meng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-06-01), S. 886-889
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    Effect of Interface Modification Conditions on Electrical Characteristics and Device Consistency of Organic Thin Film Transistors
    Wong, Man ; Zhou, Ye ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), S. 36-39
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    AlGaN-Based Deep-UV Micro-LED Array for Quantum Dots Converted Display With Ultra-Wide Color Gamut
    Xu, Ke ; Liu, Zhaojun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), S. 60-63
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    Reliability of Poly-Si TFTs Under Voltage Pulse With Fast Transition Time
    Hoi Sing Kwok ; Yan, Yan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), S. 1782-1785
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    Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer
    Fion Sze Yan Yeung ; Hoi Sing Kwok ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-09-01), S. 1338-1341
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    Ultraviolet to Near-Infrared Broadband Phototransistors Based on Hybrid InGaZnO/C8-BTBT Heterojunction Structure
    Wu, Jinxuan ; Zhang, Meng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-07-01), S. 998-1001
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    Hot Carrier Degradation Accompanied by Recovery in InSnZnO Thin-Film Transistors
    Zhang, Meng ; Jiang, Zhendong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2023, S. 1-1
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    Thermal Budget Reduction in Metal Oxide Thin-Film Transistors via Planarization Process
    Fion Sze Yan Yeung ; Li, Guijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 180-183
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    High-Brightness InGaN/GaN Micro-LEDs With Secondary Peak Effect for Displays
    Hoi Sing Kwok ; Liu, Yibo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-09-01), S. 1380-1383
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    Reversely-Synchronized-Stress-Induced Degradation in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors and Its Suppression by a Bridged-Grain Structure
    Deng, Sunbin ; Hoi Sing Kwok ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), S. 1213-1216
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    Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide From the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode
    Hoi Sing Kwok ; Wei, Jin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-07-01), S. 1017-1020
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    Resilience of Fluorinated Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor Against Hydrogen-Induced Degradation
    Shi, Runxiao ; Xia, Zhihe ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), S. 729-732
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    Low Leakage Current Vertical Thin-Film Transistors With InSnO-Stabilized ZnO Channel
    Yin, Xuemei ; Hoi Sing Kwok ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-02-01), S. 248-251
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    Enhancement-Mode $\beta$ -Ga2O3 Current Aperture Vertical MOSFETs With N-Ion-Implanted Blocker
    Higashiwaki, Masataka ; Man Hoi Wong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-02-01), S. 296-299
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    Degradation Induced by Forward Synchronized Stress in Poly-Si TFTs and Its Reduction by a Bridged-Grain Structure
    Deng, Sunbin ; Ma, Xiaotong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-09-01), S. 1467-1470
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    Gate Insulator Engineering in Top-Gated Indium-Tin-Oxide-Stabilized ZnO Thin-Film Transistors
    Li, Guijun ; Hoi Sing Kwok ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-07-01), S. 1104-1107
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    Normally-Off Ga2O3 MOSFETs With Unintentionally Nitrogen-Doped Channel Layer Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
    Higashiwaki, Masataka ; Man Hoi Wong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-07-01), S. 1064-1067
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    Current Aperture Vertical <tex-math notation='LaTeX'>$\beta$ </tex-math> -Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping
    Higashiwaki, Masataka ; Kumagai, Yoshinao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-03-01), S. 431-434
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    Raman Thermography of Peak Channel Temperature in <tex-math notation='LaTeX'>$\beta$ </tex-math> -Ga2O3 MOSFETs
    Singh, Manikant ; Uren, Michael J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-02-01), S. 189-192
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    OFF-State-Stress-Induced Instability in Switching Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors and Its Improvement by a Bridged-Grain Structure
    Deng, Sunbin ; Wong, Man ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), S. 1684-1687
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