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    AC Device Variability in High- <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa$ </tex-math> Metal-Gate CMOS Technology
    Narayanan, Vijay ; Lee, Dongsoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), S. 13-16
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
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    Monolithic Three-Dimensional 65-nm CMOS-Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic for Sub-1.2-V Operation
    Woo Young Choi ; Hyug Su Kwon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1317-1320
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    Low-Leakage and Low-Trigger-Voltage SCR Device for ESD Protection in 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Process
    Lin, Chun-Yu ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1387-1390
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    A 0.27e-rms Read Noise 220-μV/e-Conversion Gain Reset-Gate-Less CMOS Image Sensor With 0.11-μm CIS Process
    Seo, Min-Woong ; Kawahito, Shoji ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-12-01), S. 1344-1347
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    Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals
    Pan, Chenyun ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 508-511
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    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
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    An Analytical Metal Resistance Model and Its Application for Sub-22-nm Metal-Gate CMOS
    Weng, Weihao ; Grunow, Stephan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-04-01), S. 384-386
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    Characterization of Multilayer Metal Gate Fuse in 28-nm CMOS Logic Technology
    Lin, Yu-Cheng ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-09-01), S. 1088-1090
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    ESD Protection Device With Dual-Polarity Conduction and High Blocking Voltage Realized in CMOS Process
    Hajjar, Jean-Jacques ; Luo, Sirui ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-04-01), S. 437-439
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    28-nm 2T High-<formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$K$</tex></formula> Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    Tsai, Ming-Jinn ; Chrong Jung Lin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-10-01), S. 1253-1255
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    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
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    Multiple-Gate CMOS Thin-Film Transistor With Polysilicon Nanowire
    Kim, Changhoon ; Kim, Sungho ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 102-105
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    A Latchup-Immune and Robust SCR Device for ESD Protection in 0.25-μm 5-V CMOS Process
    Huang, Yu-Ching ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-05-01), S. 674-676
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    RTD/CMOS nanoelectronic circuits: thin-film InP-based resonant tunneling diodes integrated with CMOS circuits
    Bergman, J.I. ; Chang, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 20 (1999-03-01), S. 119-122
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    Device Circuit Co-Design Issues in Vertical Nanowire CMOS Platform
    Singh, Navab ; Kaushal, Gaurav ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-07-01), S. 934-936
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    Effects of Guard-Ring Structures on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors Fabricated With Standard CMOS Technology
    Rücker, Holger ; Lee, Myung-Jae ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), S. 80-82
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    Anand, Bulusu ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), S. 1011-1013
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    CMOS TFT Op-Amps: Performance and Limitations
    Quevedo, Manuel ; Avendanno, A ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), S. 650-652
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    A 0.26-$\mu\hbox{m}^{2}$ U-Shaped Nitride-Based Programming Cell on Pure 90-nm CMOS Technology
    Chrong Jung Lin ; Cheng, Kai-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-09-01), S. 837-839
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