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    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    ETHEM ERKAN, AKTAKKA ; GHAFOURI, Niloufar ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1334-1336
    Online academicJournal
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    CMOS Inverter Based on Schottky Source-Drain MOS Technology With Low-Temperature Dopant Segregation
    LARRIEU, Guilhem ; DUBOIS, Emmanuel
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 728-730
    Online academicJournal
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    Volltext
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    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-k/Metal-Gate Fully Depleted SOI CMOS With Single-Silicide Schottky Source/Drain With Sub-30-nm Gate Length
    KHATER, Marwan H ; ZHEN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 4, S. 275-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    XUSHENG, WU ; CHAN, Philip C. H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 6, S. 416-418
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    SHENGDONG, ZHANG ; RUQI, HAN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Novel approach to reduce source/drain series and contact resistance in high-performance UTSOI CMOS devices using selective electrodeless CoWP or CoB process
    PAN, James ; TOPOL, Anna ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 691-693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A dual-strained CMOS structure through simultaneous formation of relaxed and compressive strained-SiGe-on-insulator
    BERA, L. K ; MUKHERJEE-ROY, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 350-353
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of uniaxial tensile strain on the performance of partially depleted SOI CMOS ring oscillators
    WEI, ZHAO ; SEABAUGH, Alan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 52-54
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An assessment of single-electron effects in multiple-gate SOI MOSFETs with 1.6-nm gate oxide near room temperature
    WEI, LEE ; PIN, SU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 3, S. 182-184
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Nanoscale Vertical Double-Gate Single-Transistor Capacitorless DRAM
    GÜNHAN ERTOSUN, M ; CHO, Hoon ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 615-617
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of tensile uniaxial stress on the electron transport properties of deeply scaled FD-SOI n-type MOSFETs
    NAYFEH, H. M ; SINGH, D. V ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 288-290
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Heterogeneously Integrated Vapor―Liquid―Solid Grown Silicon Probes/(111) and Silicon MOSFETs/(100)
    OKUGAWA, Akihiro ; MAYUMI, Kotaro ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 683-685
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Valence band offset measurements on thin silicon-on-insulator MOSFETs
    VAN DER STEEN, J.-L. P. J ; HUETING, R. J. E ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 9, S. 821-824
    Online academicJournal
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    Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs With Thin BOX
    OHATA, A ; BAE, Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 3, S. 348-350
    Online academicJournal
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    Floating-Body Diode: A Novel DRAM Device
    AVCI, Uygar E ; KENCKE, David L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 161-163
    Online academicJournal
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    A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs
    JING, CHEN ; JIEXIN, LUO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1346-1348
    Online academicJournal
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    Investigation on Self-Heating Effect in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs From Top-Down Approach
    RUNSHENG, WANG ; JING, ZHUGE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 559-561
    Online academicJournal
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    A Simplified Superior Floating-Body/Gate DRAM Cell
    ZHICHAO, LU ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 3, S. 282-284
    Online academicJournal
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    Volltext
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