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    Research on a Highly Sensitive Magnetic-Catalytic CMOS-MEMS Compatible Gas Sensor
    SHEN, Chih-Hsiung ; KE, Shi-Ching
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 120-122
    Online academicJournal
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    CMOS-Integrated Poly-SiGe Piezoresistive Pressure Sensor
    GONZALEZ, P ; RAKOWSKI, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 8, S. 1204-1206
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Low-Temperature Hybrid CMOS Circuits Based on Chalcogenides and Organic TFTs
    MEJIA, Israel ; SALAS-VILLASENOR, Ana L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1086-1088
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With < 50-mV/decade Subthreshold Swing
    GANDHI, Ramanathan ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1504-1506
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Color mixing improvement of CMOS image sensor with air-gap-guard ring in deep-submicrometer CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 5, S. 301-303
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Three-Dimensional Photoacoustic Imaging by a CMOS Micromachined Capacitive Ultrasonic Sensor
    LI, Meng-Lin ; WANG, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1149-1151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A high-efficiency CMOS image sensor with air gap in situ microlens (AGML) fabricated by 0.18-μm CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 634-636
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Exploiting CMOS Technology to Enhance the Performance of ISFET Sensors
    PRODROMAKIS, Themistoklis ; YAN, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 9, S. 1053-1055
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Transverse Field Detector (TFD) : A Novel Color-Sensitive CMOS Device
    LONGONI, Antonio ; ZARAGA, Federico ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 12, S. 1306-1308
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A CMOS-compatible DNA microarray using optical detection together with a highly sensitive nanometallic particle protocol
    CHEN, XU ; JIONG, LI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 4, S. 240-242
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Device Circuit Co-Design Issues in Vertical Nanowire CMOS Platform
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 934-936
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Broadband Root-Mean-Square Detector in CMOS for On-Chip Measurements of Millimeter-Wave Voltages
    LEE, Chuan ; CHOI, Wooyeol ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 752-754
    Online academicJournal
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    Chip-Level Thermoelectric Power Generators Based on High-Density Silicon Nanowire Array Prepared With Top-Down CMOS Technology
    LI, Y ; BUDDHARAJU, K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 674-676
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process
    YI, SONG ; HUAJIE, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    STI-bounded single-photon avalanche diode in a deep-submicrometer CMOS technology
    FINKELSTEIN, Hod ; HSU, Mark J ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 11, S. 887-889
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A CMOS STI-Bound Single-Photon Avalanche Diode With 27-ps Timing Resolution and a Reduced Diffusion Tail
    HSU, Mark J ; ESENER, Sadik C ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 6, S. 641-643
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comparison of MOCVD- and ALD-Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32-nm High-Performance Logic SOI CMOS Technologies
    KELWING, Torben ; NAUMANN, Andreas ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1149-1151
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Radiation Imaging Detector Made by Postprocessing a Standard CMOS Chip
    BLANCO CARBALLO, Victor Manuel ; CHEFDEVILLE, Maximilien ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 585-587
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Thermoelectric infrared sensors by CMOS technology
    LENGGENHAGER, R ; BALTES, H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 9, S. 454-456
    Online academicJournal
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    Tin oxide gas sensor fabricated using CMOS micro-hotplates and in-situ processing
    SUEHLE, J. S ; CAVICCHI, R. E ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 3, S. 118-120
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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