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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
    Online unknown
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    Balanced Drive and Sense CMOS Thermal Piezoresistive Resonators and Oscillators
    Zope, Anurag A. ; Li, Sheng-Shian
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 232-235
    Online unknown
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    Research on a Highly Sensitive Magnetic-Catalytic CMOS-MEMS Compatible Gas Sensor
    SHEN, Chih-Hsiung ; KE, Shi-Ching
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 120-122
    Online academicJournal
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    CMOS-Integrated Poly-SiGe Piezoresistive Pressure Sensor
    GONZALEZ, P ; RAKOWSKI, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 8, S. 1204-1206
    Online academicJournal
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    Low-Temperature Hybrid CMOS Circuits Based on Chalcogenides and Organic TFTs
    MEJIA, Israel ; SALAS-VILLASENOR, Ana L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1086-1088
    Online academicJournal
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    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With < 50-mV/decade Subthreshold Swing
    GANDHI, Ramanathan ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1504-1506
    Online academicJournal
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    Color mixing improvement of CMOS image sensor with air-gap-guard ring in deep-submicrometer CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 5, S. 301-303
    Online academicJournal
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    Three-Dimensional Photoacoustic Imaging by a CMOS Micromachined Capacitive Ultrasonic Sensor
    LI, Meng-Lin ; WANG, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1149-1151
    Online academicJournal
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    A high-efficiency CMOS image sensor with air gap in situ microlens (AGML) fabricated by 0.18-μm CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 634-636
    Online academicJournal
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    Exploiting CMOS Technology to Enhance the Performance of ISFET Sensors
    PRODROMAKIS, Themistoklis ; YAN, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 9, S. 1053-1055
    Online academicJournal
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    A Three-Dimensional Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pinned-Photodiode Pixel Structure
    KIM, Seong-Jin ; HAN, Sang-Wook ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 11, S. 1272-1274
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Transverse Field Detector (TFD) : A Novel Color-Sensitive CMOS Device
    LONGONI, Antonio ; ZARAGA, Federico ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 12, S. 1306-1308
    Online academicJournal
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    A CMOS-compatible DNA microarray using optical detection together with a highly sensitive nanometallic particle protocol
    CHEN, XU ; JIONG, LI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 4, S. 240-242
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Simultaneous Imaging and Energy Harvesting in CMOS Image Sensor Pixels
    Yoon, Euisik ; Park, Sung-Yun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), S. 532-535
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optical Power Efficiency Versus Breakdown Voltage of Avalanche-Mode Silicon LEDs in CMOS
    Wienk, Gerard J. M. ; Annema, Anne-Johan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 38 (2017-06-23), Heft 7, S. 898-901
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    THz Detection Using p+/n-Well Diodes Fabricated in 45-nm CMOS
    Kenneth, K. O ; Ahmad, Zeshan
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), S. 823-826
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    Cryogenic Characterization of 22nm FDSOI CMOS Technology for Quantum Computing ICs
    Jia, H. ; Dadash, M. S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2019
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    CMOS-Compatible Replacement Metal Gate InGaAs-OI FinFET With $I_{ON}=156~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ at $V_{DD}= 0.5$ V and $I_{OFF}=100$ nA/$\mu \text{m}$
    Caimi, Daniele ; Deshpande, Veeresh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 169-172
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    A CMOS Compatible Bulk FinFET-Based Ultra Low Energy Leaky Integrate and Fire Neuron for Spiking Neural Networks
    Kottantharayil, Anil ; Chatterjee, Dibyendu
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-08-01), S. 1301-1304
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    A 0.27e-rms Read Noise 220-μV/e-Conversion Gain Reset-Gate-Less CMOS Image Sensor With 0.11-μm CIS Process
    Seo, Min-Woong ; Kawahito, Shoji ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-12-01), S. 1344-1347
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