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    Barrier Properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu Diffusion for 3-D TSV
    LEE, Kang-Wook ; HAO, WANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 114-116
    Online academicJournal
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    Scalable High-Performance Phase-Change Memory Employing CVD GeBiTe
    LEE, Jinil ; CHO, Sunglae ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1113-1115
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Enhanced Current Drivability of CVD Graphene Interconnect in Oxygen-Deficient Environment
    CHANG GOO, KANG ; SANG KYUNG, LEE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1591-1593
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Hollow-Cathode CVD N2 Plasma Treatment for Performance and Reliability Improvement of LTPS-TFTs
    FAN, Ching-Lin ; LIN, Yi-Yan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 3, S. 387-389
    Online academicJournal
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    Effect of Temperature and Humidity on NO2 and NH3 Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD
    KIM, Chang-Hee ; YOO, Sung-Won ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 1084-1086
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Pure Frequency Tripler Based on CVD Graphene.
    Cheng, Chuantong ; Huang, Beiju ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 785-788
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Graphene-Based Interconnects on Hexagonal Boron Nitride Substrate
    JAIN, Nikhil ; BANSAL, Tanesh ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 925-927
    Online academicJournal
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    Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors
    FRANKLIN, Aaron D ; HAN, Shu-Jen ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 17-19
    Online academicJournal
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    N-Polar GaN MIS-HEMTs With a 12.1-W/mm Continuous-Wave Output Power Density at 4 GHz on Sapphire Substrate
    KOLLURI, Seshadri ; KELLER, Stacia ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 635-637
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low-Operating-voltage Operation and Improvement in Sensitivity With Passivated OFET Sensors for Determining Total Dose Radiation
    RAVAL, Harshil N ; RAMGOPAL RAO, V
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 12, S. 1482-1484
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Piezoresistive Effect of p-Type Single Crystalline 3C-SiC Thin Film
    PHAN, Hoang-Phuong ; TANNER, Philip ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 399-401
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Normally-Off Thin-Film Silicon Heterojunction Field-Effect Transistors and Application to Complementary Circuits
    HEKMATSHOAR, Bahman
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 545-547
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    III-V Junctionless Gate-All-Around Nanowire MOSFETs for High Linearity Low Power Applications
    YI, SONG ; CHEN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 324-326
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Gain AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes
    ZHEN GUANG, SHAO ; DUN JUN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 372-374
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fabrication of Humidity Sensor Based on Bilayer Graphene
    CHEN, Meng-Chu ; HSU, Cheng-Liang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 590-592
    Online academicJournal
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    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Triangular-Pulse Measurement for Hysteresis of High-Performance and Flexible Graphene Field-Effect Transistors
    SAUNGEUN, PARK ; SANGCHUL, LEE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 2, S. 277-279
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Thin-Film Heterojunction Field-Effect Transistors With Crystalline Si Channels and Low-Temperature PECVD Contacts
    HEKMATSHOAR, Bahman
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 81-83
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    600-V Normally Off SiNx/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    ZHIKAI, TANG ; QIMENG, JIANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 11, S. 1373-1375
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    1.4-kV AIGaN/GaN HEMTs on a GaN-on-SOI Platform
    QIMENG, JIANG ; CHENG, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 3, S. 357-359
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Improved Rear-Side Passivation by Atomic Layer Deposition Al2O3/SiNx Stack Layers for High VOC Industrial p-Type Silicon Solar Cells
    LIN, Je-Wei ; CHEN, Yi-Yang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 9, S. 1163-1165
    Online academicJournal
    Zugriff:
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