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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
    Online unknown
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    FANG, TANG ; CHEN, Denis G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 54-56
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Methodology for Determination of Process Induced BTI Variability in MG/HK CMOS Technologies Using a Novel Matrix Test Structure
    KERBER, Andreas
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 294-296
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of High-Pressure Annealing on Random Telegraph Signal Noise Characteristic of Source Follower Block in CMOS Image Sensor
    KWON, Hyuk-Min ; HAN, In-Shik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 2, S. 190-192
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Novel Readout Circuit Architecture for CMOS Image Sensors Minimizing RTS Noise
    MARTIN-GONTHIER, Philippe ; MAGNAN, Pierre
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 776-778
    Online academicJournal
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    Negative Offset Operation of Four-Transistor CMOS Image Pixels for Increased Well Capacity and Suppressed Dark Current
    MHEEN, Bongki ; SONG, Young-Joo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 4, S. 347-349
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Three-Dimensional Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pinned-Photodiode Pixel Structure
    KIM, Seong-Jin ; HAN, Sang-Wook ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 11, S. 1272-1274
    Online academicJournal
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    Ni-Containing Electrodes for Compact Integration of Resistive Random Access Memory With CMOS
    WANG, X. P ; FANG, Z ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 4, S. 508-510
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Punchthrough Enhanced Phototransistor Fabricated in Standard CMOS Process
    XIN, LIU ; SHUXU, GUO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 3, S. 272-274
    Online academicJournal
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    Work-function tuning of TaN by high-temperature metal intermixing technique for gate-first CMOS process
    REN, C ; CHAN, D. S. H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 10, S. 811-813
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
    Online unknown
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    Impact of Series Resistance on Bulk CMOS Current Matching Over the 5–300K Temperature Range
    Nguyen Cong Dao ; Leong, Philip H. W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-07-01), S. 847-850
    Online unknown
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    Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies
    Khan, Faraz ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), S. 44-47
    Online unknown
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    academicJournal
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    Full-Swing Clock Generating Circuits on Plastic Using a-IGZO Dual-Gate TFTs With Pseudo-CMOS and Bootstrapping
    Mativenga, Mallory ; Geng, Di ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), S. 882-885
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    academicJournal
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    Correction to 'Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz' [Sep 18 1413-1416]
    Lisauskas, Alvydas ; Roskos, Hartmut G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2019
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
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    A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si
    Svensson, Johannes ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2018
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    High-Speed Pseudo-CMOS Circuits Using Bulk Accumulation a-IGZO TFTs
    Nam, Hyoungsik ; Mativenga, Mallory ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-02-01), S. 153-155
    Online unknown
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