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    Schottky Barrier N-Type Thin Film Transistors With Polycrystalline Silicon Channel and Er-Silicided Metallic Junctions
    SHIN, Jin-Wook ; CHOI, Chel-Jong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 12, S. 1336-1339
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Geometric Leakage Current of GeO2 Isolation and Effect of Forming Gas Annealing in Germanium p-n Junctions
    JUNG, Woo-Shik ; PARK, Jin-Hong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1520-1522
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    H2 High Pressure Annealed Y-Doped ZrO2 Gate Dielectric With an EOT of 0.57 nm for Ge MOSFETs.
    Lee, Tae In ; Nguyen, Manh-Cuong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-09-01), Heft 9, S. 1350-1353
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improvement of Threshold Voltage Reliability of 4H-SiC MOSFETs With Lanthanum Silicate by High Temperature Forming Gas Anneal.
    Yang, Xiangyu ; Lee, Bongmook ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 244-247
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Passivation of a (100) Silicon Surface by Silicon Dioxide Grown in Nitric Acid
    Grant, Nicholas ; McIntosh, Keith
    In: IEEE Electron Device Letters, 2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Passivation of a (100) Silicon Surface by Silicon Dioxide Grown in Nitric Acid.
    Grant, Nicholas E. ; McIntosh, Keith R.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-09-01), Heft 9, S. 922-924
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Annealing on Charge in HfO2 Gate Stacks.
    Zhang, Z. ; Li, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 20-22
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effects of Annealing on Charge in HfO<subscript>2</subscript> Gate Stacks.
    Zhang, Z. ; Li, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 20-22
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    H2 High Pressure Annealed Y-Doped ZrO2 Gate Dielectric With an EOT of 0.57 nm for Ge MOSFETs
    Tae In Lee ; Byung Jin Cho ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-09-01), S. 1350-1353
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Improvement of Threshold Voltage Reliability of 4H-SiC MOSFETs With Lanthanum Silicate by High Temperature Forming Gas Anneal
    Yang, Xiangyu ; Misra, Veena ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), S. 244-247
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Passivation of a (100) Silicon Surface by Silicon Dioxide Grown in Nitric Acid
    McIntosh, Keith R. ; Grant, Nicholas E.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-09-01), S. 922-924
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of annealing on charge in HfO/sub 2/ gate stacks
    Zhang, Z. ; Campbell, Stephen A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005), S. 20-22
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Performance of polysilicon gate HfO2 MOSFETs on [100] and [111] silicon substrates
    Krishnan, S. ; Onishi, Katsunori ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 254-256
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical characteristics of epitaxially grown SrTiO3 on silicon for metal-insulator-semiconductor gate dielectric applications
    Billman, C.A. ; Jeon, Sanghun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 218-220
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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