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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Hot Carrier Degradation Accompanied by Recovery in InSnZnO Thin-Film Transistors
    Zhang, Meng ; Jiang, Zhendong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 44 (2023), Heft 7, S. 1124-1127
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of Positive-Bias-Stress-Induced Degradation in InSnZnO Thin-Film Transistors by Low Frequency Noise Measurement
    Jiang, Zhendong ; Zhang, Meng ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 6, S. 886-889
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    AlGaN-Based Deep-UV Micro-LED Array for Quantum Dots Converted Display With Ultra-Wide Color Gamut
    Feng, Feng ; Zhang, Ke ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2021), Heft 1, S. 60-63
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    Effect of Interface Modification Conditions on Electrical Characteristics and Device Consistency of Organic Thin Film Transistors
    Zhang, Xincheng ; Zhang, Meng ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2021), Heft 1, S. 36-39
    Online serialPeriodical
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    Reliability of Poly-Si TFTs Under Voltage Pulse With Fast Transition Time
    Zeng, Yuhuang ; Yan, Yan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 42 (2021), Heft 12, S. 1782-1785
    Online serialPeriodical
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    Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer
    Zhou, Jitong ; Wang, Yunping ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 42 (2021), Heft 9, S. 1338-1341
    Online serialPeriodical
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    Ultraviolet to Near-Infrared Broadband Phototransistors Based on Hybrid InGaZnO/C8-BTBT Heterojunction Structure
    Zhang, Meng ; Wu, Jinxuan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 42 (2021), Heft 7, S. 998-1001
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Thermal Budget Reduction in Metal Oxide Thin-Film Transistors via Planarization Process
    Deng, Sunbin ; Zhong, Wei ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 42 (2021), Heft 2, S. 180-183
    Online serialPeriodical
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High-Brightness InGaN/GaN Micro-LEDs With Secondary Peak Effect for Displays
    Liu, Yibo ; Zhang, Ke ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 9, S. 1380-1383
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reversely-Synchronized-Stress-Induced Degradation in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors and Its Suppression by a Bridged-Grain Structure
    Zhang, Meng ; Deng, Sunbin ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 8, S. 1213-1216
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide From the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p + -Nickel-Oxide Heterojunction Diode
    Zhou, Xianda ; Lu, Lei ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 7, S. 1017-1020
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Resilience of Fluorinated Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor Against Hydrogen-Induced Degradation
    Wang, Sisi ; Shi, Runxiao ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 5, S. 729-732
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhancement-Mode <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\beta$ </tex-math></inline-formula>-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Current Aperture Vertical MOSFETs With N-Ion-Implanted Blocker
    Wong, Man Hoi ; Murakami, Hisashi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 2, S. 296-299
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low Leakage Current Vertical Thin-Film Transistors With InSnO-Stabilized ZnO Channel
    Yin, Xuemei ; Deng, Sunbin ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 2, S. 248-251
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low Dislocation Density Homoepitaxy Ultraviolet-A Micro-LEDs Scale Down to 3 μm
    Liu, Yibo ; Wang, Guobin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024), Heft 4, S. 641-644
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Degradation Induced by Forward Synchronized Stress in Poly-Si TFTs and Its Reduction by a Bridged-Grain Structure
    Zhang, Meng ; Ma, Xiaotong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 9, S. 1467-1470
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Vertical Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
    Lin, Chia-Hung ; Yuda, Yohei ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 9, S. 1487-1490
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Gate Insulator Engineering in Top-Gated Indium-Tin-Oxide-Stabilized ZnO Thin-Film Transistors
    Deng, Sunbin ; Chen, Rongsheng ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 7, S. 1104-1107
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