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    academicJournal
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    Power performance of AlGaN-GaNHEMTs grown on SiC by plasma-assisted MBE
    Rajan, Siddharth ; Waltereit, P ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in eScholarship (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion
    CHOWDHURY, Srabanti ; WONG, Man Hoi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 41-43
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Power performance of AlGaN/GaN HENTs grown on sic by Ammonia-MBE at 4 and 10 GHz
    POBLENZ, Christiane ; CORRION, Andrea L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 945-947
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Substitutional-Gate MOSFETs With Composite (In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As) Channels and Self-Aligned MBE Source-Drain Regrowth
    LEE, Sanghoon ; LAW, Jeremy J. M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1553-1555
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MBE-Regrown Ohmics in InAlN HEMTs With a Regrowth Interface Resistance of 0.05 Ω · mm
    JIA, GUO ; GUOWANG, LI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 4, S. 525-527
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Normally-Off MOS-HFET on AlGaN/GaN-on-Si(110) Grown by NH3 MBE
    Han, S. ; Noh, Y. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 37 (2016), Heft 12, S. 1613-1616
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    A MBE-grown high-efficiency GaAs solar cell with a directly deposited aluminum front contact
    RAGAY, F. W ; LEYS, M. R ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 12, S. 618-620
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Substitutional-Gate MOSFETs With Composite $(hbox{In}_{0.53}hbox{Ga}_{0.47}hbox{As}/hbox{InAs}/hbox{In}_{0.53}hbox{Ga}_{0.47}hbox{As})$ Channels and Self-Aligned MBE Source-Drain Regrowth
    Lee, S. ; Law, J.J.M. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1553-1555
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MBE-Regrown Ohmics in InAlN HEMTs With a Regrowth Interface Resistance of 0.05 $Omegacdothbox{mm}$
    Guo, J. ; Li, G. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 33 (2012), Heft 4, S. 525-527
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A high-gain, modulation-doped photodetector using low-temperature MBE-grown GaAs
    SUBRAMANIAN, S ; SCHULTE, D ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 16 (1995), Heft 1, S. 20-22
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Operating CMOS after a Si-MBE process : a procondition of future three-dimensional circuits
    KONIG, U ; KUISL, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 11 (1990), Heft 5, S. 218-220
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved breakdown voltage in GaAs MESFET's utilizing surface layers of GaAs grown at a low temperature by MBE
    YIN, L.-W ; HWANG, Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 11 (1990), Heft 12, S. 561-563
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Power Performance of AlGaN-GaN HEMTs Grown on SiC by Plasma-Assisted MBE
    Rajan, S. ; Waltereit, P. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 25 (2004), Heft 5, S. 247-249
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 160-GHz fr and 140-GHz f~M~A~X Submicrometer InP DHBT in MBE Regrown-Emitter Technology
    Wei, Y. ; Scott, D. W. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 25 (2004), Heft 5, S. 232-234
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    GaN-Based Submicrometer HEMTs With Lattice-Matched InAlGaN Barrier Grown by MBE
    Maier, Thomas ; Lozar, Roger ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-07-01), S. 671-673
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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