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    Investigation of maximum current sensing window for two-side operation, four-bit/cell MLC nitride-trapping nonvolatile flash memories
    HSU, Tzu-Hsuan ; LEE, Ming-Hsiu ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 12, S. 795-797
    Online academicJournal
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    Analog Synapse Device With 5-b MLC and Improved Data Retention for Neuromorphic System
    Moon, K. ; Cha, E. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 37 (2016), Heft 8, S. 1067-1070
    Online serialPeriodical
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    academicJournal
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    Improved Synapse Device With MLC and Conductance Linearity Using Quantized Conduction for Neuromorphic Systems
    Kim, Taesu ; Hwang, Hyunsang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), S. 312-315
    Online unknown
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    A Novel Varying-Bias Read Scheme for MLC and Wide Temperature Range TMO ReRAM
    Chiang, Kuang-Hao ; Lin, Yu-Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1426-1429
    Online unknown
    Zugriff:
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    Analog Synapse Device With 5-b MLC and Improved Data Retention for Neuromorphic System
    Chu, Myonglae ; Hwang, Hyunsang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-08-01), S. 1067-1070
    Online unknown
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    Investigation of Maximum Current Sensing Window for Two-Side Operation, Four-bit/cell MLC Nitride-Trapping Nonvolatile Flash Memories
    Lung, Hsiang-Lan ; Lu, Chih-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-12-01), S. 795-797
    Online unknown
    Zugriff:
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    Ultra-Low Program Current and Multilevel Phase Change Memory for High-Density Storage Achieved by a Low-Current SET Pre-Operation.
    He, Mingze ; He, Da ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-10-01), Heft 10, S. 1595-1598
    Online academicJournal
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    Separation of Comer Component in TAT Mechanism in Retention Characteristics of Sub 20-nm NAND Flash Memory
    KYUNGHWAN, LEE ; MYOUNGGON, KANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 51-53
    Online academicJournal
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    Multiresistance Characteristics of PCRAM With Ge1Cu2Te3 and Ge2Sb2Te5 Films
    SAITO, Yuta ; YUN HEUB, SONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 10, S. 1399-1401
    Online academicJournal
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    Tunnel Oxide Nitridation Effect on the Evolution of Vt Instabilities (RTS/QED) and Defect Characterization for Sub-40-nm Flash Memory
    KIM, Taehoon ; DEPING, HE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 999-1001
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of Maximum Current Sensing Window for, Two-Side Operation, Four-bit/cell MLC Nitride-Trapping Nonvolatile Flash Memories.
    Hsu, Tzu-Hsuari ; Lee, Ming-Hsiu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-12-01), Heft 12, S. 795-797
    Online academicJournal
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    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A novel fully CMOS process compatible PREM for SOC applications
    YEH, C. C ; TAHUI, WANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 3, S. 203-204
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Degradation of Gate Voltage Controlled Multilevel Storage in One Transistor One Resistor Electrochemical Metallization Cell.
    Xu, Xiaoxin ; Lv, Hangbing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-06-01), Heft 6, S. 555-557
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Multilevel Cell Ferroelectric HfZrO FinFET With High Speed and Large Memory Window Using AlON Interfacial Layer<sub/>
    Yan, Siao-Cheng ; Wu, Chen-Han ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 44-47
    Online serialPeriodical
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    Multilevel Operation of Ferroelectric FET Memory Arrays Considering Current Percolation Paths Impacting Switching Behavior
    Muller, Franz ; De, Sourav ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 5, S. 757-760
    Online serialPeriodical
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    Improved Immunity to Sub-Cycling Induced Instability for Triple-Level Cell Ferroelectric FET Memory by Depositing HfZrOₓ on NH₃ Plasma-Treated Si.
    Peng, Hao-Kai ; Liu, Chia-Ming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-08-01), Heft 8, S. 1219-1222
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