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    Demonstration of 200-, 100-, and 50-<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math></inline-formula>m Pitch Resistive AC-Coupled Silicon Detectors (RSD) With 100% Fill-Factor for 4D Particle Tracking
    Mandurrino, Marco ; Siviero, F. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 11, S. 1780-1783
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Demonstration of 200-, 100-, and 50-<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math></inline-formula>m Pitch Resistive AC-Coupled Silicon Detectors (RSD) With 100% Fill-Factor for 4D Particle Tracking
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 11, S. 1780-1783
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Demonstration of 200-, 100-, and 50- $\mu$ m Pitch Resistive AC-Coupled Silicon Detectors (RSD) With 100% Fill-Factor for 4D Particle Tracking.
    Mandurrino, Marco ; Siviero, F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1780-1783
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Novel Self-Aligned Raised Source/Drain Polysilicon Thin-Film Transistor With a High-Current Structure
    CHIEN, Feng-Tso ; CHEN, Chii-Wen ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1080-1082
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    A novel low-temperature polysilicon thin-film transistors with a self-aligned gate and raised source/drain formed by the damascene process
    KOW MING, CHANG ; GIN MIN, LIN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 9, S. 806-808
    Online academicJournal
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    High-Performance Partially Depleted SOI PFETs With In Situ Doped SiGe Raised Source/Drain and Implant-Free Extension
    KHAKIFIROOZ, Ali ; KANGGUO, CHENG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 3, S. 267-269
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Novel approach to reduce source/drain series and contact resistance in high-performance UTSOI CMOS devices using selective electrodeless CoWP or CoB process
    PAN, James ; TOPOL, Anna ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 691-693
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A High-Current Kink Effect Free Z-Gate Poly–Si Thin-Film Transistor.
    Chien, Feng-Tso ; Yu, Cheng-Hao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), Heft 7, S. 886-889
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Wafer-Level Patterning of SnO Nanosheets for MEMS Gas Sensors.
    Li, Mingjie ; Luo, Wenxin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1981-1984
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    academicJournal
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    academicJournal
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Coil-Shaped Electrodes to Reduce the Current Variation of Drop-Casted OTFTs.
    Kabir, H. M. Dipu ; Ahmed, Zubair ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), Heft 5, S. 645-648
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Simple S/D Series Resistance Extraction Method Optimized for Nanowire FETs.
    Kim, Ye-Ram ; Lee, Sang-Hyun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-07-01), Heft 7, S. 828-830
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Short-Channel Performance Improvement by Raised Source/Drain Extensions With Thin Spacers in Trigate Silicon Nanowire MOSFETs.
    Saitoh, Masumi ; Nakabayashi, Yukio ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 273-275
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A New Technique to Extract the Source/Drain Series Resistance of MOSFETs.
    Fleury, Dominique ; Cros, Antoine ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-09-01), Heft 9, S. 975-977
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Correlating Drain—Current With Strain-Induced Mobility in Nanoscale Strained CMOSFETs.
    Lin, Hong-Nien ; Chen, Hung-Wei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-08-01), Heft 8, S. 659-661
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    Effect of Tensile Uniaxial Stress on the Electron Transport Properties of Deeply Scaled FD-SOI n-Type MOSFETs.
    Nayfeh, H. M. ; Singh, D. V. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 288-290
    Online academicJournal
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    Volltext
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