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    Mode-Switchable Localized Surface Plasmon Resonator for W/D Dual-Band CMOS Oscillator
    Dong, G. ; Hu, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-05-01), Heft 5, S. 762-765
    Online academicJournal
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    Aluminum Nitride MEMS Resonant Pressure Gauges Without Vacuum Packaging
    Li, H. ; Yang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-05-01), Heft 5, S. 893-896
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Balanced Drive and Sense CMOS Thermal Piezoresistive Resonators and Oscillators
    Zope, A.A. ; Li, S.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), Heft 2, S. 232-235
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Phase-Noise Improvement of GaAs pHEMT K-Band Voltage-Controlled Oscillator Using Tunable Field-Plate Voltage Technology
    Chiu, H. C. ; Wei, C. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), Heft 5, S. 426-429
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Single-Resonator Dual-Frequency BEOL-Embedded CMOS-MEMS Oscillator With Low-Power and Ultra-Compact TIA Core
    Riverola, M. ; Sobreviela, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-02-01), Heft 2, S. 273-273
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Low-Parasitic and Common-Centroid Cross-Coupled CMOS Transistor Structure for High-Frequency VCO Design
    Lee, I. Y. ; Yun, S. J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 532-534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Power and linearity characteristics of field-plated recessed-gate AlGaN-GaN HEMTs
    Chini, A. ; Buttari, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-05-01), Heft 5, S. 229-231
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Sub-150- $\mu \text{W}$ BEOL-Embedded CMOS-MEMS Oscillator With a 138-dB $\Omega $ Ultra-Low-Noise TIA
    Li, M. ; Chen, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-05-01), Heft 5, S. 648-648
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    FinFETs With a Deep Buried Channel to Reduce the Readout Noise in CMOS Image Sensors
    Ryu, J.T. ; Jeon, S.B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-05-01), Heft 5, S. 530-530
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High linearity power X-band GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
    Liu, W. ; Kim, Tae ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 15 (1994-06-01), Heft 6, S. 190-192
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Phase-Shifterless Power Controlled Combining Based on 20-kW S-Band Magnetrons With an Asymmetric Injection
    Liu, Z. ; Chen, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1425-1425
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Temperature-Stable Film Bulk Acoustic Wave Oscillator
    Pang, W. ; Ruby, R. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), Heft 4, S. 315-318
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Coupling-Shielded Inductor for High Isolation Between PA and LC-Based DCO
    Yoo, S. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), Heft 1, S. 24-24
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications
    Moon, J. S. ; Curtis, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 270-272
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ultra Heat-Shock Resistant Die Attachment for Silicon Carbide With Pure Zinc
    Suganuma, K. ; Kim, S.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), Heft 12, S. 1467-1469
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    RF power silicon-on-glass VDMOSFETs
    Nenadovic, N. ; Cuoco, V. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-06-01), Heft 6, S. 424-426
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Square-extensional mode single-crystal silicon micromechanical resonator for low-phase-noise oscillator applications
    Kaajakari, V. ; Mattila, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-04-01), Heft 4, S. 173-175
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Power and linearity characteristics of GaN MISFETs on sapphire substrate
    Chini, A. ; Wittich, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-02-01), Heft 2, S. 55-57
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High linearity InGaP/GaAs power HBTs by collector design
    Wang, Che-ming ; Hsu, Hung-Tsao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-02-01), Heft 2, S. 58-60
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Reference SAW oscillator on quartz-on-silicon (QoS) wafer for polylithic integration of true single chip radio
    Eo, Yunseong ; Hyun, Seokbong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-08-01), Heft 8, S. 393-395
    Online academicJournal
    Zugriff:
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