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    Electromigration Characteristics and Morphological Evolution of Cu Interconnects on CVD Co and Ru Liners for 10-nm Class VLSI Technology
    Jang, K. ; Lee, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 1050-1050
    Online academicJournal
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    Vertically Stacked Strained 3-GeSn-Nanosheet pGAAFETs on Si Using GeSn/Ge CVD Epitaxial Growth and the Optimum Selective Channel Release Process
    Huang, Y. ; Lu, F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1274-1274
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Barrier Properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu Diffusion for 3-D TSV
    Lee, K. W. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 114-116
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of Temperature and Humidity on $\hbox{NO}_{2}$ and $\hbox{NH}_{3}$ Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD
    Kim, C. H. ; Yoo, S. W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-07-01), Heft 7, S. 1084-1086
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Full-Wafer Characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Free-Standing CVD Diamond Substrates
    Chabak, K. D. ; Gillespie, J. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-02-01), Heft 2, S. 99-101
    Online academicJournal
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    AlN/GaN Insulated-Gate HFETs Using Cat-CVD SiN
    Higashiwaki, M. ; Mimura, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-09-01), Heft 9, S. 719-721
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Gate-first Germanium nMOSFET with CVD HfO/sub 2/ gate dielectric and silicon surface passivation
    Wu, Nan ; Zhang, Qingchun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-06-01), Heft 6, S. 479-481
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Cat-CVD SiN-passivated AlGaN-GaN HFETs with thin and high Al composition barrier Layers
    Higashiwaki, M. ; Hirose, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-03-01), Heft 3, S. 139-141
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CVD rhenium and PVD tantalum gate MOSFETs fabricated with a replacement technique
    Pan, J. ; Canaperi, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-12-01), Heft 12, S. 775-777
    Online academicJournal
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    Fast Response Solar-Blind Ultraviolet Photodetector Based on the β-Ga₂O₃/p-Si Heterojunction
    Dong, H. ; Ma, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-04-01), Heft 4, S. 554-557
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    AlGaN/GaN MIS-HFETs with fT of 163 GHz using cat-CVD SiN gate-insulating and passivation Layers
    Higashiwaki, M. ; Matsui, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 16-18
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High Voltage Gain Inverters From Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene FETs
    Pandey, H. ; Kataria, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1747
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Pure Frequency Tripler Based on CVD Graphene
    Cheng, C. ; Huang, B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 785-785
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Metal–Insulator–Graphene Diode Mixer Based on CVD Graphene-on-Glass
    Saeed, M. ; Hamed, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 1104-1104
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improved Hysteresis and Reliability of MoS2 Transistors With High-Quality CVD Growth and Al2O3 Encapsulation
    Illarionov, Y.Y. ; Smithe, K.K.H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1763-1763
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Enhanced Current Drivability of CVD Graphene Interconnect in Oxygen-Deficient Environment
    Kang, C. G. ; Lee, S. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1591-1593
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Scalable High-Performance Phase-Change Memory Employing CVD GeBiTe
    Lee, J. ; Cho, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), Heft 8, S. 1113-1115
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    Hollow-Cathode CVD $\hbox{N}_{2}$ Plasma Treatment for Performance and Reliability Improvement of LTPS-TFTs
    Fan, C. L. ; Lin, Y. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-03-01), Heft 3, S. 387-389
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    A WO3 Nanoparticles NO Gas Sensor Prepared by Hot-Wire CVD
    Lin, C. ; Chang, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-02-01), Heft 2, S. 266-266
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    Breakdown Current Density of CVD-Grown Multilayer Graphene Interconnects
    Lee, K. J. ; Chandrakasan, A. P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-04-01), Heft 4, S. 557-559
    Online academicJournal
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