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    Anomalous Kink Effect Induced by Bottom-Shield-Metal in LTPS TFTs on Plastic Substrates
    Kim, K.W. ; Kang, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-10-01), Heft 10, S. 1524-1524
    Online academicJournal
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    The $\hbox{Pd/TiO}_{2}$/ $\hbox{n}$-LTPS Thin-Film Schottky Diode on Glass Substrate for Hydrogen Sensing Applications
    Chou, T. H. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-11-01), Heft 11, S. 1232-1235
    Online academicJournal
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    Volltext
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    NBTI Degradation in LTPS TFTs Under Mechanical Tensile Strain
    Lin, C. S. ; Chen, Y. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-07-01), Heft 7, S. 907-909
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Anomalous Capacitance Induced by GIDL in P-Channel LTPS TFTs
    Lin, C. S. ; Chen, Y. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-11-01), Heft 11, S. 1179-1181
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Impacts of $\hbox{N}_{2}$ and $\hbox{NH}_{3}$ Plasma Surface Treatments on High-Performance LTPS-TFT With High-$\kappa$ Gate Dielectric
    Ma, M. W. ; Chao, T. S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-11-01), Heft 11, S. 1236-1238
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A New Embedded One-Time-Programmable MNOS Memory Fully Compatible to LTPS Fabrication for System-on-Panel (SOP) Applications
    Lee, T. Y. ; Chiu, C. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-08-01), Heft 8, S. 906-908
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dynamic Negative Bias Temperature Instability (NBTI) of Low-Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) Thin-Film Transistors
    Liao, J. C. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), Heft 5, S. 477-479
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characteristics of PBTI and Hot Carrier Stress for LTPS-TFT With High- $\kappa$ Gate Dielectric
    Ma , M. W. ; Chen, C. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-02-01), Heft 2, S. 171-173
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impacts of Fluorine Ion Implantation With Low-Temperature Solid-Phase Crystallized Activation on High- $\kappa$ LTPS-TFT
    Ma, M. W. ; Chen, C. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-02-01), Heft 2, S. 168-170
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    LTPS-TFT Pixel Circuit to Compensate for OLED Luminance Degradation in Three-Dimensional AMOLED Display
    Lin, C. L. ; Chang, W. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-05-01), Heft 5, S. 700-702
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hollow-Cathode CVD $\hbox{N}_{2}$ Plasma Treatment for Performance and Reliability Improvement of LTPS-TFTs
    Fan, C. L. ; Lin, Y. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-03-01), Heft 3, S. 387-389
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Novel LTPS-TFT Pixel Circuit Compensating for TFT Threshold-Voltage Shift and OLED Degradation for AMOLED
    Lin, C. L. ; Chen, Y. C.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), Heft 2, S. 129-131
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Dependence of Photosensitive Effect on the Defects Created by DC Stress for LTPS TFTs
    Tai, Y. H. ; Kuo, Y. F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-12-01), Heft 12, S. 1322-1324
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Highly Robust Flexible Poly-Si Thin Film Transistor Under Mechanical Strain With Split Active Layer for Foldable Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display
    Urmi, S.S. ; Billah, M.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 80-83
    Online academicJournal
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    Suppressing Drain-Induced Barrier Lowering and Kink Effect in Low-Temperature Poly-Si TFTs Using a Partitioned Light Shield
    Zhou, K. ; Zheng, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 576-579
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Abnormal Two-Stage Degradation on P-Type Low-Temperature Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistor Under Hot Carrier Conditions
    Tu, H. ; Chang, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-05-01), Heft 5, S. 721-724
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High Temperature Solid Phase Crystallization of a-Si on Glass by Short Time Blue Laser Exposure for Display Backplane
    Choi, M. ; Lee, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1890-1893
    Online academicJournal
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    Amorphous InGaZnO/Poly-Si Coplanar Heterojunction TFT for Memory Applications
    Jeong, D.Y. ; Billah, M.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-08-01), Heft 8, S. 1172-1175
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of Degradation Behavior During Illuminated Negative Bias Temperature Stress in P-Channel Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
    Wang, Y. ; Chang, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-05-01), Heft 5, S. 712-715
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    Photoelectric Synapse Based on InGaZnO Nanofibers for High Precision Neuromorphic Computing
    Zhu, Y. ; Mao, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 651-654
    Online academicJournal
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