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    Color mixing improvement of CMOS image sensor with air-gap-guard ring in deep-submicrometer CMOS technology
    Hsu, T.H. ; Fang, Y.K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-05-01), Heft 5, S. 301-303
    Online academicJournal
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    Complementary Antiparallel Schottky Barrier Diode Pair in a 0.13- $\mu \hbox{m}$ Logic CMOS Technology
    Shim, D. ; Sankaran, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-06-01), Heft 6, S. 606-608
    Online academicJournal
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    A 0.26-$\mu\hbox{m}^{2}$ U-Shaped Nitride-Based Programming Cell on Pure 90-nm CMOS Technology
    Lai, H. C. ; Cheng, K. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-09-01), Heft 9, S. 837-839
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Novel 2-Bit/Cell p-Channel Logic Programmable Cell With Pure 90-nm CMOS Technology
    Chen, Y. J. ; Huang, C. E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-08-01), Heft 8, S. 938-940
    Online academicJournal
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    Assessing Alpha Particle-Induced Single Event Transient Vulnerability in a 90-nm CMOS Technology
    Gadlage, M. J. ; Schrimpf, R. D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-06-01), Heft 6, S. 638-640
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A New Antifuse Cell With Programmable Contact for Advance CMOS Logic Circuits
    Chen, M. ; Huang, C. E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), Heft 5, S. 522-524
    Online academicJournal
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    A technique to improve the drive current of high-voltage I/O transistors in digital CMOS technologies
    Xu, Haifeng ; O, K.K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-10-01), Heft 10, S. 752-754
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Three-transistor one-time programmable (OTP) ROM cell array using standard CMOS gate oxide antifuse
    Kim, Jinbong ; Lee, Kwyro
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-09-01), Heft 9, S. 589-591
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Light guide for pixel crosstalk improvement in deep submicron CMOS image sensor
    Hsu, T.H. ; Fang, Y.K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004), Heft 1, S. 22-24
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Characterization of polysilicon resistors in sub-0.25 μm CMOS ULSI applications
    Liu, Wen-Chau ; Thei, Kong-Beng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-07-01), Heft 7, S. 318-320
    Online academicJournal
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    Scalable PD/SOI CMOS with floating bodies
    Fossum, J.G. ; Pelella, M.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-11-01), Heft 11, S. 414-416
    Online academicJournal
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    Monolithic CMOS digital integrated circuits in 6H-SiC using an implanted p-well process
    Ryu, S. ; Kornegay, K.T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-05-01), Heft 5, S. 194-196
    Online academicJournal
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    A comprehensive study of performance and reliability of P, As, and hybrid As/P nLDD junctions for deep-submicron CMOS logic technology
    Nayak, D.K. ; Hao, Ming-Yin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-06-01), Heft 6, S. 281-283
    Online academicJournal
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    Performance and reliability enhancement for CVD tungsten polycided CMOS transistors due to fluorine incorporation in the gate oxide
    Chen, I. C. ; Rodder, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 15 (1994-09-01), Heft 9, S. 351-353
    Online academicJournal
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    Silicon-on-insulator approach for power IC's integrating vertical DMOS and polycrystalline silicon CMOS thin-film transistors
    Dolny, G.M. ; Ipri, A.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 13 (1992-10-01), Heft 10, S. 516-518
    Online academicJournal
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    Co-integration of GaAs MESFET and Si CMOS circuits
    Shichijo, H. ; Matyi, R.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-09-01), Heft 9, S. 444-446
    Online academicJournal
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    A new CMOS structure with vertical p-channel transistors
    Yeh, W.C. ; Jaeger, R.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 4 (1983-06-01), Heft 6, S. 196-198
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    A Nitride-Based P-Channel Logic-Compatible One-Time-Programmable Cell With a New Contact Select Gate
    Tsai, Y. H. ; Lin, K. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-10-01), Heft 10, S. 1090-1092
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    Programmable via Using Indirectly Heated Phase-Change Switch for Reconfigurable Logic Applications
    Chen, K. N. ; Krusin-Elbaum, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 131-133
    Online academicJournal
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    Comparison of electrical and reliability characteristics of different 14 /spl Aring/ oxynitride gate dielectrics
    Pan, Tung-Ming ; Lin, Hsiu-Shan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-07-01), Heft 7, S. 416-418
    Online academicJournal
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