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    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology
    Chu, R. ; Cao, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), Heft 3, S. 269-269
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Tungsten-Gated GaN/AlGaN p-FET With Imax > 120 mA/mm on GaN-on-Si
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 545-548
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Self-Aligned E-Mode GaN p-Channel FinFET With ION > 100 mA/mm and ION/IOFF > 10⁷
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-03-01), Heft 3, S. 358-361
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Graphene Field-Effect Device
    Lemme, M. C. ; Echtermeyer, T. J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-04-01), Heft 4, S. 282-284
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Device performance of transistors with high-/spl kappa/ dielectrics using cross-wafer-scaled interface-layer thickness
    O'Sullivan, B.J. ; Kaushik, V.S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), Heft 7, S. 546-548
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High- $\kappa$ Gate Dielectric
    Cheng, C. H. ; Chin, A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 274-276
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Two-Dimensional Tunnel Transistors Based on ${\rm Bi}_{2}{\rm Se}_{3}$ Thin Film
    Zhang, Q. ; Iannaccone, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 129-131
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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