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    Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon
    Persson, Anton E. O. ; Zhu, Zhongyunshen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 43 (2022), Heft 6, S. 854-857
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    Low-Power, Self-Aligned Vertical InGaAsSb NW PMOS With S < 100 mV/dec
    Krishnaraja, Abinaya ; Zhu, Zhongyunshen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 44 (2023-07-01), Heft 7, S. 1064-1067
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    High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs with Improved On-Current
    Zota, Cezar B. ; Wernersson, Lars Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 37 (2016-10-01), Heft 10, S. 1264-1267
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    Electrical Characterization and Modeling of Gate-Last Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si
    Berg, Martin ; Kilpi, Olli-Pekka ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 37 (2016-08-08), Heft 8, S. 966-969
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    Scaling of Vertical InAs–GaSb Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors on Si
    Memisevic, Elvedin ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 37 (2016-05-05), Heft 5, S. 549-552
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    High-Performance Vertical III-V Nanowire MOSFETs on Si with gm> 3 mS/μm
    Kilpi, Olli Pekka ; Hellenbrand, Markus ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 41 (2020), Heft 8, S. 1161-1164
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    RF and DC Analysis of Stressed InGaAs MOSFETs
    Roll, Guntrade ; Lind, Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 35 (2014), Heft 2, S. 181-183
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    High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
    Dey, Anil ; Borg, Mattias ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 34 (2013), Heft 2, S. 211-213
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    High-Performance InAs Nanowire MOSFETs
    Dey, Anil ; Thelander, Claes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 791-793
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    Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs With Source/Drain Engineering
    Mo, Jiongjiong ; Lind, Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 515-517
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    High-Frequency Gate-All-Around Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
    Johansson, Sofia ; Memisevic, Elvedin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 518-520
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    In0.53Ga0.47As Multiple-Gate Field-Effect Transistors With Selectively Regrown Channels
    Zota, Cezar ; Wernersson, Lars-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 342-344
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    In0.53Ga0.47As RTD-MOSFET Millimeter-Wave Wavelet Generator
    Egard, Mikael ; Ärlelid, Mats ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 970-972
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Frequency Performance of Self-Aligned Gate-Last Surface Channel In0.53Ga0.47As MOSFET
    Egard, Mikael ; Ohlsson, Lars ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 33 (2012), Heft 3, S. 369-371
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Memristive and Memcapacitive Characteristics of a Au/Ti-HfO2-InP/InGaAs Diode
    Sun, Jie ; Lind, Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 32 (2011), Heft 2, S. 131-133
    Online unknown
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