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    Fully Planar 0.562μm2 T-RAM Cell in a 130nm SOI CMOS Logic Technology for High-Density High-Performance SRAMs
    NEMATI, Farid ; CHO, Hyun-Jin ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 273-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of high-performance SiGe:C hbts with thin-film SOI CMOS
    RÜCKER, H ; HEINEMANN, B ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 239-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Proposal of new HfSiON CMOS fabrication process (HAMDAMA) for low standby power device
    AOYAMA, T ; MAEDA, T ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 95-98
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Membrane high voltage devices - : A milestone concept in power ICs
    UDREA, F ; TRAJKOVIC, T ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 451-454
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Future semiconductor manufacturing : challenges and opportunities
    IWAI, Hiroshi
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 11-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Drastic suppression of thermally induced leakage of NiSi silicided shallow junctions by pre- SALICIDE fluorine implantation
    TSUCHIAKI, M ; OHUCHI, K ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 1059-1062
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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