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    A fully integrated CMOS and high voltage compatible RF MEMS technology
    LINGPENG, GUAN ; SIN, Johnny K. O ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 35-38
    Konferenz
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    Transport properties of sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices
    WAKABAYASHI, Hitoshi ; EZAKI, Tatsuya ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 429-432
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Pragmatic design of nanoscale multi-gate CMOS
    FOSSUM, J. G ; WANG, L.-Q ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 613-616
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low leakage reliability characterization methodology for advanced CMOS with gate oxide in the 1nm range
    CHUNG, Steve S ; FENG, H. J ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 477-480
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performance and low power transistors integrated in 65nm bulk CMOS technology
    LUO, Z ; STEEGEN, A ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 661-664
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selectively formed high mobility strained Ge PMOSFETs for high performance CMOS
    HUILING, SHANG ; CHU, Jack O ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 157-160
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molybdenum-gate HfO2 CMOS FinFET technology
    HA, Daewon ; TAKEUCHI, H ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 643-646
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A novel strain enhanced CMOS architecture using selectively deposited high tensile and high compressive silicon nitride films
    PIDIN, S ; MORI, T ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 213-216
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A compact QM-based mobility model for nanoscale ultra-thin-body CMOS devices
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 763-766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Relevance of remote scattering in gate to channel mobility of thin-oxide CMOS devices
    SOLOMON, Paul M ; MIN, YANG
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 143-146
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The tunneling field effect transistor (TFET) as an add-on for Ultra-Low-Voltage analog and digital processes
    NIRSCHL, Th ; WANG, P.-F ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 195-198
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Partial silicides technology for tunable work function electrodes on high-k gate dielectrics - : fermi level pinning controlled PtSixfor HfOx(N) pMOSFET
    NABATAME, T ; KADOSHIMA, M ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 83-86
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Improved electrical and material characteristics of hafnium titanate multi-metal oxide a-MOSFETs with ultra-thin EOT (∼8A) gate dielectric application
    SE JONG, RHEE ; CHANG SEOK, KANG ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 837-840
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of parasitic resistance and silicon layer thickness scaling for strained-silicon MOSFETs on relaxed Si1-xGex virtual substrate
    KAWASAKI, Hirohisa ; OHUCHI, Kazuya ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 169-172
    Konferenz
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    Future semiconductor manufacturing : challenges and opportunities
    IWAI, Hiroshi
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 11-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    MOSFETs and high-speed photodetectors on ge-on-insulator substrates fabricated using rapid melt growth
    YAOCHENG, LIU ; GOPALAKRISHNAN, Kailash ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 1001-1004
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of surface roughness on silicon and germanium Ultra-Thin-Body MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, M. F ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 151-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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