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    Latchup in CMOS Technology : Reliability physics
    Hargrove, M. J. ; Voldman, S. H. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 36, S. 269-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Study of ESD-Induced Latent Damage in CMOS Integrated Circuits : Reliability physics
    Huh, Y. ; Lee, M. G. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 36, S. 279-283
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    High-Current Transmission Line Pulse Characterization of Aluminum and Copper Interconnects for Advanced CMOS Semiconductor Technologies : Reliability physics
    Voldman, S. H. ; Gauthier, R. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 36, S. 293-301
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Compact Model of Holding Voltage for Latch-Up in Epitaxial CMOS : Reliability physics
    Chen, M. J. ; Ho, C. S. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 339-345
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Latch-Up Characterization of High Energy Ion Implanted New CMOS Twin Wells That Comprised the Billi (Buried Implanted Layer for Lateral Isolation) and BL/CL (Buried Layer/Connecting Layer) Structures : Reliability physics
    Kim, J. K. ; Park, S. H. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 346-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    New Understanding of LDD CMOS Hot-Carrier Degradation and Device Lifetime at Cryogenic Temperatures : Reliability physics
    Wang-Ratkovic, J. ; Lacoe, R. C. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 312-319
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of a CMOS I/O Protection Circuit Using Circuit-Level Simulation : Reliability physics
    Li, T. ; Suh, D. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    NBTI-Channel Hot Carrier Effects in pMOSFETs in Advanced CMOS Technologies : Reliability physics
    LaRosa, G. ; Guarin, F. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 282-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    New Screening Concept for Deep-Submicron CMOS VLSIs Using Temperature Characteristics of Leakage Currents in MOS Device : Reliability physics
    Shimaya, M.
    In: IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. CONF 35, S. 49-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Konferenz
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