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    Carrier loss in InGaAsP-InP lasers grown by hydride CVD.
    Ketelsen, L. J. P. ; Kazarinov, R. F.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 31 (1995-05-01), S. 811-813
    Online academicJournal
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    Synthesis and Application of Monolayer Semiconductors (June 2015).
    Chiu, Kuan-Chang ; Zhang, Xin-Quan ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 51 (2015-10-01), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Spontaneous Emission and Characteristics of Staggered InGaN Quantum-Well Light-Emitting Diodes.
    Arif, Ronald A. ; Zhao, Hongping ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-06-01), Heft 5/6, S. 573-580
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design and Demonstration of Novel QW Intermixing Scheme for the Integration of UTC-Type Photodiodes With QW-Based Components.
    Raring, James W. ; Skogen, Erik J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 42 (2006-02-01), Heft 1/2, S. 171-181
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Study of Reverse Dark Current in 4H-SiC Avalanche Photodiodes.
    Guo, Xiangyi ; Beck, Ariane L. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-04-01), Heft 4, S. 562-567
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Er3+-doped Al2O3 thin films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) exhibiting a 55-nm optical bandwidth.
    Chryssou, C. E. ; Pitt, C. W.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998-02-01), S. 282-285
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The High-Performance Imaging Verification of Si:P Blocked Impurity Band Detector for Very-Long-Wave-Infrared Spectral Range.
    Chen, Yulu ; Wang, Xiaodong ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 56 (2020-06-01), Heft 3, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low dark current GaN avalanche photodiodes.
    Yang, B. ; Li, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 36 (2000-12-01), Heft 12, S. 1389-1391
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fabrication, characterization and analysis of low threshold current density 1.55-μm-strained quantum-well lasers.
    Mathur, Atul ; Dapkus, P. Daniel
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 32 (1996-02-01), S. 222-226
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Absorption, Gain, and Laser Action in Bismuth-Doped Aluminosilicate Optical Fibers.
    Dvoyrin, Vladislav V. ; Kir'yanov, Alexander V. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 182-190
    Online academicJournal
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    Characteristics of an AlGaInP-Based Light Emitting Diode With an Indium-Tin-Oxide (ITO) Direct Ohmic Contact Structure.
    Liu, Yi-Jung ; Yen, Chih-Hung ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 246-252
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    UV Electroluminescence and Structure of n-ZnO/p-GaN Heterojunction LEDs Grown by Atomic Layer Deposition.
    Chen, Hsing-Chao ; Chen, Miin-Jang ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 46 (2010-02-01), Heft 1/2, S. 265-271
    Online academicJournal
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    Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs.
    Nie, Chao ; Jiang, Ruo Lian ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 45 (2009-06-01), Heft 5/6, S. 575-578
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhanced Luminance Efficiency of Wafer-Bonded InGaN-GaN LEDs With Double-Side Textured Surfaces and Omnidirectional Reflectors.
    Horng, Ray-Hua ; Huang, Shao-Hua ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-11-01), Heft 11/12, S. 1116-1123
    Online academicJournal
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    Synthetic Diamond for Intracavity Thermal Management in Compact Solid-State Lasers.
    Millar, Patricia ; Birch, Rolf B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 44 (2008-08-01), Heft 8, S. 709-717
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    Diode-End-Pumped Passively CW Mode-Locked Nd:YLF Laser by the LT-In0.25Ga0.75As Absorber.
    Pan, Shu-Di ; He, Jing-Liang ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 42 (2006-10-01), Heft 9/10, S. 1097-1100
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    Influence of Facet Coating on the Dual Wavelength Operation of Asymmetric InGaAs-GaAs Quantum-Well Lasers.
    Jiang, Weihong ; Thompson, David A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-05-01), Heft 5, S. 625-629
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    Nanoscale Spatial Phase Modulation of GaN on a V-Grooved Si Substrate—Cubic Phase GaN on Si(001) for Monolithic Integration.
    Lee, S. C. ; Pattada, B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 41 (2005-04-01), Heft 4, S. 596-605
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    Interdigitated Ge p-i-n Photodetectors Fabricated on a Si Substrate Using Graded SiGe Buffer Layers.
    Oh, Jungwoo ; Campbell, Joe C. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 38 (2002-09-01), Heft 9, S. 1238-1241
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    Modal properties of two-dimensional antiguided vertical-cavity surface-emitting laser arrays.
    Zhou, Delai ; Mawst, L. J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 38 (2002-06-01), Heft 6, S. 652-664
    Online academicJournal
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